用计算机VGA显示器复现指定颜色的研究

如能用计算机控制在普通ＶＧＡ显示器上准确地显示出指定的颜色，那么计算机显示系统就将成为色度学、彩色视觉、印刷、印染等领域方便的、价格低廉的研究手段，为此要对计算机显示系统的颜色空间进行标定，这时遇到的主要困难是显示器显示特性的非线性，以及Ｒ、Ｇ、Ｂ三个通道之间的交联作用，我们通过对几种不同瑾显示的研究，对Ｒ、Ｇ、Ｂ三角交联规律作了探索并提出了存在三色交联时的显示特性表示公式和参数标定方法，从而实现     

史上最大驱逐舰“朱姆沃尔特”级(DDG-1000)古船型的回归?

正2011年10月27日,美国通用动力公司巴斯造船厂将史上最大的驱逐舰朱姆沃尔特级(DDG 1000)的一个船体分段公布于众。据悉,这段公布的船体分段是朱姆沃尔特级驱逐舰中前部分,长55米,高18米,重4 000吨,上面将装载两座155毫米先进舰炮武器系统。仅仅这一分段的重量就比一般的护卫舰还要大。从船体分段的横剖面可以看出,朱姆沃尔特级船体截面在水线以上逐渐向内收缩。随着朱姆     

2.6～3.2m煤层单体支柱一次采全高

针对我局张集煤矿主采煤层顶底板条件，选用ＤＺ－２８／１００和ＱＤＺ－３１５０Ｂ型单体支柱，实现了２．６￣３．２ｍ倾斜煤层单体面一次采全高，取得了显著的安全技术经济效果，通过系统的矿压观测和分析，揭示了大采高工作面的顶板运动规律，为开采大采高工作面提供了科学依据。     

刘桥一矿单体面矿压显现

通过对刘桥一矿单体液压支柱工作面实测，得出了工作面矿压显现一般规律，分析了支柱受力特征，探讨了合理支护密度问题。     

单体支柱防倒顶盖的试验与观测

本文介绍了单体支柱防倒顶盖的基本结构及其工业怀试验情况，提出了监测与评价倾斜煤层工作面单体支柱支护质量的三项新指标。试验观测表明，在倾斜煤层工作面使用装有防倒顶盖的单体支柱，可以限定单体支柱与金属顶梁之间的接触关系，增强单体支架的稳定性，防止减少单体支柱的倾倒与下滑。     

基于DSP的导航计算机数据通信设计研究

文中对导航计算机的信息交联进行了深入研究．并在TMS320VC5402 DSP系统平台上．提出了中断通信方式、HPI通信方式和I／O端口通信方式三种通信方案．分别用以解决导航计算机串行码、模拟量和一次性指令的数据通信问题。     

单体模糊神经网络自学习问题研究

本文采用的单体模糊神经网络在智能控制中兼有模糊控制与人工神经网络控制的特点，不仅具有良好的控制特性，而且能够进行模型自学习和在线自调整。结合本身结构，人工神经网络理论和模糊理论，可得到ＭＦＮＮｓ自学习的一系列算法。     

通信行业阀控式密封铅酸蓄电池的应用与设计

为进一步宣传通信电源的地位和作用,交流通信电源的应用、管理和维护经验,宣传通信电源的新技术与新产品,推动通信电源事业的发展,同时也为通信电源的生产和应用部门之间架起一座相互交流、沟通的桥梁,《电信技术》杂志社和信息产业部邮电工业产品质量检测中心于2003年4月11～12日在上海召开了“中国通信电源论坛成立暨技术研讨会”。中国电信集团公司、中国移动通信集团公司、中国网通集团公司、中国联合通信有限公司、中国卫星通信集团公司和铁道通信信息有限公司的通信电源主管及相关技术人员与国内主要通信电源设备制造企业的代表,围绕“提高通信电源技术装备和维护管理水平,保障通信安全”的主题展开了深入讨论,大家一致认为:在通信电源方面,运营商之间不存在竞争,反而有必要相互交流合作,共谋发展,更好地为电信运营服务;运营商与厂商之间是鱼水关系,要互相理解、互相支持,保证通信电源设备稳定可靠的运行;在厂商之间,也要加强交流与合作,提倡联合,共同维护有利于通信电源产业发展的市场秩序。为了使广大读者进一步了解本次会议的内容,我刊特别策划了“通信电源”专题,精选了本次会议会刊中的一些优秀论文,并将在今后几期中陆续刊登。此外,如有需要会刊的同志请与我刊联系,电话010-68372878。     

壳聚糖固定化单宁酸酶的特性研究

研究了以壳聚糖为载体交联-吸附单宁酸酶后的化学特性。结果表明：固定化单宁酸酶（简称“ITA”）的最适反应pH为3.0,原酶（简称“TA”）为5．5;ITA最适反应温度为50℃,TA为40℃;ITA的Km（app）为1．3845×10(-1)mol／L,TA为6．7500×10(-5)mol/L;ITA在pH3．0～8．0的范围内残存酶活大于60％,ITA在pH3．0～6.0范围内残存酶活大于60％;ITA在80℃的水浴中保温1h,酶活力仍未见下降,而TA在60℃水浴中保温30min酶已失活;ITA和TA在4℃和30℃的条件下,贮藏20d后,ITA的残存活性大于40％,TA的残存活性小于20％。     

Si基SiC微通道及其制备工艺

提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式根据需要而定,此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板;用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材料,此层SiC不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,还在凹槽顶部形成封闭结构,这样就在衬底上形成了以凹槽为模板的SiC微通道(阵列)。对淀积速率与微通道质量之间的关系进行初步分析,发现单纯地提高淀积速率不利于获得高质量的微通道。