ADSL出线率问题测试验证

目前，关于电缆ADSL出线率的影响问题尚无定论，由于影响线路的因素很多，难以建立一个模型来进行分析，只能通过测试手段来获取一些数据，进行粗略的定性分析。本文就出线率问题在实际运行环境下小范围进行了一些测试，并对此作出了简单分析。     

介孔材料制备及研究进展

介孔材料是一类孔径分布在1．5～50nm之间的多孔材料，具有比表面积大，孔隙率高，孔径分布窄，孔排布有序的特点，在催化、分离等领域具有广阔的应用前景。综述了介孔材料近些年在制备、应用、机理等方面的最新进展与前景展望。     

具有介孔结构的沸石催化材料

沸石晶体催化材料广泛地应用于石油炼制的催化过程中,但是随着原油中重油含量的增加,越来越要求制备具有介孔结构的新型材料以增加它们的传质作用.在1992年,人们成功地制备出有序介孔结构材料,但是它们仍然不能广泛地应用于工业中.最近,人们尝试采用碳模板技术制备具有介孔结构的沸石晶体,并初步取得了成功.但是这些材料的制备步骤复杂,其介孔结构多为孔穴型,介孔孔道并不能很通畅地到达沸石晶体的表面,对于传质作用的增加仍然不足.在简单地总结了前人制备具有介孔结构的沸石晶体基础上,笔者介绍了一种新路线,就是在合成沸石晶体的过程中,加入阳离子高分子聚合物模板,经过高温焙烧后,在沸石晶体中形成新颖的介孔结构.和传统的沸石晶体材料相比较,这些新颖介孔结构的沸石晶体具有优异的催化性能.     

联想技术专家教你如何更节能使用MP3

“勤俭节约”始终是中华民族的美德,而近期相关部门颁布的节能中长期规划:争取到2020年,实现年均节能率3%、累计节能14亿吨标准煤的目标,引起大家就如何节能问题的广泛讨论。今天我们也将这个节能话题转移到时下非常流行的MP3领域来讨论一下。众所周知,拥有MP3已经成为年轻朋友中的新宠,而当您畅游在音乐海洋时,是否会因为电池突然没电而感到懊恼?在使用MP3过程中,如何可以最大程度的节省电源?今天小编就这个问题联系了联想数码事业部的研发人员。请看他们给大冢支几个妙招:1、每月至少完成一次完全充放电。专家建议,每个月至少有一次将电量全部耗尽,并且将电池充满,这样能保持电池的活性,延长它的使用寿命。2、如果您不是偏好音效,就尽可能少用EQ模式,因为这会加重解码芯片的负担。3、善用播放列表功能。把您喜欢的歌曲花几分钟做成列表,免去了反复next的操作。4、调整背光时间。10秒左右比较适合,这样可以节约相当多的电能。如果您外出郊游,光线良好,可以直接设置成off,您同样能清晰地看到屏幕上的信息,这样在很大程度上可以减少电量的消耗。5、保持播放器凉爽。如果MP3机身温度过高会影响连续播放时间,解决办法很简单,只要您少用皮套、海绵套之类的东西就可以了。当然,如果温度过低,电池内分子活性下降也会缩短使用时间,保持在25℃左右最为适宜。     

银科数字卫星接收机故障一例

石阡县有两个乡镇打电话反映,停电后收不到中央台加密频道节目,但能收到少儿频道节目。因为两处同时出现该故障,首先怀疑是上行站停送信号或者是没有缴费而停送信号,经了解以上两处并不欠费。重新调接收机(银科),该接收机面板是锁定的,按左右、上下键两次均可解锁,将下行频率调     

超快可调的二极管激光器

Omicron的新型二极管激光器，Deepstar，几乎拥有无限的调制能力，即使很高的调制率下，在调制“关闭”阶段也不会露出残余荧光。     

有互感和电源的电容耦合电路的量子涨落

通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感和电源存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子涨落与电源无关。当电路元件确定时，如果L1／L2的值很大或很小，耦合对涨落的影响很大。互感从有到无的过程中，回路1中电流的涨落和回路中2中电荷的涨落有明显的变化。换句话说，互感的有无对涨落的大小起着举足轻重的作用。     

露天多段深孔微差爆破孔网参数优化设计

本文对露天多段深扎微差爆破孔网参数进行了优化，使每排炮扎成直线排列，两排之间成交替正三角形排列，优化设计后，爆破作用比较均匀，大块率下降了56％，同时，爆破根底产生的机会和程度也大大下降。     

基于VSSR法的数字与模拟调制信号的区分

在电子监测系统中,调制类型的自动识别起着非常关键的作用。当调制类型较多时,一些识别算法第一步先区分调制方式是属于模拟调制还是数字调制。该文采用了结合小波变换的VSSR(Variance of Subclass’s Symbol Rate)法,仿真表明,当源信号的任何情况都未知下,在采样点较多时,可以在信噪比仅为10dB的情况下,区分出几乎所有的数字调制和模拟调制。     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。