SOINMOSFET的双峰及辐射效应研究

通过对SOINMOFET的总剂量辐照试验,对器件辐照中的双峰效应进行研究。文中给出了双峰效应的表征。试验结果表明双峰的形状随辐照总剂量的增加而改变,并分析了具体的原因。另外,背栅晶体管对主要晶体管的耦合效应要远远大于其对寄生晶体管的作用。     

用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型

提出了一个用于ＳＰＩＣＥ模拟高频互连 应的ＰＣＬ互连电路模型,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型,对频率达１０００ＭＨｚ时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析,并指出了抑制互连效应的技术途径。     

激光直接制造金属零件过程的闭环控制研究

对激光直接制造金属零件过程中熔池温度和熔覆层厚度的变化进行了研究,指出对确定的材料,当激光功率增大到一定值时,熔池内的金属溶液大多已达到了热饱和,温度累积效应并不显著,熔池温度基本保持平稳,而在制造过程中若零件由于工艺不稳定而产生凹凸点,在多次层叠制造后,凹处越凹、凸处越凸,严重影响零件的制造精度。所以通过传感器来直接监测金属零件的熔覆高度,进而通过控制送粉量来保证制造过程中熔覆高度的稳定性比起温度控制来更具有实际意义。提出了熔覆高度的检测方案,并对送粉量的闭环控制系统进行了研究,对送粉量的时间延迟提出了相应的对策。结果表明对熔覆层高度的检测和对送粉量的调节能够提高激光直接制造过程的稳定性和制造精度。     

异步电动机直接转矩控制中的死区效应的仿真研究

逆变器是直接转矩控制系统主电路中的关键部件。逆变器死区的设置虽然防止了逆变器器件的直通,同时也带来了死区效应,特别是对直接转矩控制系统的影响更是明显。本文通过分析异步电动机直接转矩控制系统中死区的生成及死区对电动机和整个系统的影响,定义了偏差电压矢量,并在此基础上,提出了一种死区补偿分析算法。该方法不需附加硬件,只需对原控制软件进行修改。仿真结果显示,在直接转矩控制系统中加入死区补偿,能有效改进电动机定子电流波形,使转矩脉动减小,整个系统的运行性能得到了一定的改善。     

硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响

SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素.     

产业集群的“移空效应”

据统计，2003年上半年，马来西亚制造业销售总额共3221亿人民币，比去年同期下降了7％；截止到2003年6月，在制造业受聘的员工有974932人，比去年同期下降了3．8％，2003年前三个月的失业率达3．7％，数百万劳工面临重新就业。     

介观压阻效应

为了突破传统机电转换 ,如压电、压阻及压容等效应的宏观物理局限 ,着手研究介观压阻效应。本文提出 ,通过四个物理过程来实现介观压阻效应。原理上讲 ,在力学信号作用下 ,纳米结构中的应力分布会发生变化 ;应力变化可引起内建电场的产生 ;内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变 ;量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。简述了国内外在上述四个过程方面所做的工作     

纳米膜隧穿效应微陀螺的结构设计与加工

基于GaAs材料和器件的制造工艺,介绍了纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构设计方法和工艺加工方法。阐述了基于纳米膜隧穿效应微陀螺的工作原理,对纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构进行了设计,分析了微陀螺的模态频率设计和匹配仿真。采用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀方法分别对隧穿器件和微陀螺结构进行了加工,利用扫描电镜观测,加工结果较好。利用冲击信号测试了微陀螺的频率响应,讨论了微陀螺的模态频率测试结果和匹配情况,证明微陀螺在驱动方向和检测方向上能够工作且模态频率匹配程度较好。实验结果表明,提出的GaAs材料微陀螺结构设计方法和工艺加工方法是可行的,能够应用于GaAs基微陀螺结构设计与制造。     

利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计

在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法.模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET"互补对"结构的信号读取电路形式能够抑制"温漂"和克服"硅衬底体效应"对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式.