NSRL-Wiggler光源的稳定性监测

介绍了十字斜扫描两维探测器的工作原理和基本构造,两根相互垂直的钨丝倾斜扫描同步辐射光束,一维运动同时得到垂直和水平的两维光电流密度分布,直接读出束斑中心位置坐标.并利用该探测器对国家同步辐射实验室同步辐射光源的扭摆器光源进行在线监测,得到了光电流密度分布曲线、束斑中心坐标、光束位置随辐射衰减和不同注入发生改变等一系列实测数据,为分析光源的稳定性能、校正束团轨道和准直光束线上的光学元件提供依据.     

透明铁电PLZT陶瓷的短路光电流初探

本文对透明铁电PLZT陶瓷的改性及未改性试样进行了短路光电流测试,对PLZT光电图象存储器的微观机制进行了探讨。结果表明:光激载流子的输运效应、热释电效应、光生伏打效应都对PLZT陶瓷的图象存储有贡献,光电流峰值与光敏度的数量级有相应的变化,光电流峰值与光强成正比,稳态短路光生伏打电流与光强成正比,光电流与暗电流之比反映了存储图象的光敏度。     

Au纳米粒子大小对Au/TiO_2薄膜光催化活性的影响

用混合-超声分散方法制备了3种负载不同粒径Au纳米粒子的T iO2薄膜。利用透射电镜测定Au纳米粒子的粒径,用紫外-可见光谱和测量光电流方法对Au/T iO2薄膜进行表征,以亚甲基蓝降解反应评价Au/T iO2薄膜的光催化活性,讨论Au纳米粒子的大小对Au/T iO2薄膜光催化活性的影响。实验结果表明,与纯的T iO2薄膜相比,负载不同粒径Au纳米粒子的T iO2薄膜的光电流和光催化活性均有不同程度的提高。负载平均粒径约8nm的Au粒子的T iO2薄膜电极具有最大的光电流(光电流为38μA,是纯T iO2薄膜电极的2.2倍)和最高的光催化活性(3h后对亚甲基蓝的降解率达到92%,是纯T iO2薄膜的1.5倍)。     

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰

应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器性能的影响     

锗硅双层量子点的光电流特性

在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。用这种结构的样品制成的红外光探测器能够同时对两种不同波长的光进行探测响应     

激光作用下Townsend放电理论

本文给出了共振激光作用下的汤生放电理论。测量了汤生放电的主电离系数及二次电离系数,并与计算做了比较。     

GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱

通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.     

光话筒

德国著名电子产品制造厂家森海塞尔与以色列PHone-Or公司合作开发成功的光话筒是将LED发出的光以一定角度照射在振膜上,而在另一侧装有接收反射光的检测器件。当膜片振动时,反射至光敏器件上的光强度也随之改变,从而改变光电流的强度,产生不同的声音响度。     

激光导引头探测能量分布的建模与仿真

为了实现光电对抗装备对抗效果的评估,为某型激光导引头仿真模型的子模型建立了四象限探测器模型并进行了数学仿真。提出了快速计算激光光斑落在四象限探测器每个象限的光斑能量的方法,即激光光斑象限能量分割模型,弥补了传统和差电路定向法的不足。结果表明,建立的四象限探测器模型能够模拟四象限探测器的工作过程,并且具有易实现、运算速度快等优点。这对于提高某型激光导引头数学仿真系统的可信度和真实性,以及提高该系统的实时仿真速度是有帮助的。     

FP激光二极管的性能指标及其使用中应注意的问题

本文简述了反向光发射单元核心器件FP激光二极管的主要特点,介绍了FP激光二极管的性能和参数的物理意义,解读了FP激光二极管产品的参数表及曲线组图,提出了反向光发射单元在使用和维护中应注意的几个问题.