TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILD TDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效.     

光子晶体光纤在光纤激光器中的应用

光子晶体光纤研究的日趋成熟不仅拓宽了光纤激光器的研究领域,同时也推动了激光技术的发展.文章针对大模面积双包层光子晶体光纤的特点,探讨了其在光纤激光器中的应用,重点阐述了光子晶体光纤在光纤激光器应用领域的最新进展,并介绍了燕山大学在制备稀土掺杂光子晶体光纤上所取得的最新成果.     

基于．NET框架的内容管理系统设计与实现

介绍一种新的基于.NET2.0框架的内容管理系统开发方法.采用B/S模式和完整的三层结构设计,使用VB.NET语言编写程序.提供了一套多用户并发访问的内容管理解决方案,支持在线编辑器、新闻/评论管理和统计及多样复合的查询方式.介绍了复杂在线编辑方法、文件管理办法、系统状态持久化和复合查询及实时统计实现方法,实现了文件管理和查询统计等功能和文件在不同磁盘或不同服务器间的分布式存储.不但提供了丰富的内容管理功能,而且还提供了更贴合实际环境的安全策略.     

SOA标准选型研究

旨在介绍SOA项目实施中涉及到的技术标准,重点介绍SOA的支撑技术Web Service的相关技术标准,包括各技术标准的分类介绍,技术标准之间的冲突及解决方案等.目的是为SOA项目的开发者和使用者提供对SOA技术标准的正确、直观、全面的印象,给实施SOA项目的技术人员和使用SOA项目的用户提供采用技术标准的参考依据.     

基于ASP.NET的智能小区新闻发布系统的设计

为了增强系统源代码和信息存储的安全性,解决普通新闻发布系统中的安全问题,基于ASP.NET 的B/S三层结构开发模式,充分考虑系统安全性,采用基于角色的访问控制技术,设计了智能小区新闻发布系统,实现了小区中心与住户的信息沟通.本文同时对系统的功能模块设计及系统的实现过程进行了介绍.     

作为携带、沉积纳米荧光粉颗粒和纳米铁电体颗粒到FEDs 和 EL 器件上的载体的可印刷的油墨、粘结剂

文章介绍了两种移植和可控纳米沉积荧光粉颗粒和纳米铁电体颗粒的载体.第一种载体是一种可以悬浮和沉积合成的具有亚微米级尺寸大小的荧光粉颗粒的油墨.解决了该油墨的聚集和沉降问题,并发现该油墨具有良好的液流学性能,从而可用于印刷高分辨率的荧光粉.测量了相关的单个象素的阴极发光密度以评定这种丝网印刷油墨的可重复性.第二种载体是一种粘结剂,这种粘结剂不仅可以携带 30 μm 以及更大的尺寸的电致发光的荧光粉,还可以携带纳米铁电体颗粒.这种新型的粘结剂可应用于不需要额外的绝缘反射层的低造价的 EL 显示器.从衬底按要求将发射层剥下来就形成了柔性薄膜,将该薄膜置于两电极之间,仍可保持其电致发光的活性.该粘结剂薄膜可以很容易地印刷和定型制成显示屏.     

一种基于INSIGNIA框架的MANET跨层QoS方案

文中基于INSIGNIA QoS框架,通过跨层设计提出一种MANET(Mobile Ad Hoc Network)QoS方案:设计一种具有服务质量意识的AODV改进型路由算法QAwAODV,通过提供备用路由降低INSIGNIA流恢复操作对QoS造成的影响;利用802.11e的增强分布式协调功能(EDCF)对INsIGNIA系统进行扩展,为不同类型的业务提供区分服务,从而提升MANET的QoS保障能力.并通过仿真分析对该方案的可行性进行了评估.     

老化处理试验对铜箔与树脂基板的附着性的影响

概述了镀锌的铜箔暴露于老化处理氛围中（313K,90％RH,168h）以后,铜箔上镀锌层的取向和HCl浸渍后的剥离损失对附着性的影响。试验结果表明箔镀层（0002）取向的锌基面比其它取向具有较低的HCl浸渍后的剥离损失。     

KLA—Tencor推出两款新型薄膜量测系统 扩充Aleris系列

KLA-Tencor公司近日推出Aleris8310和A-1efts8350,在Aleris系列薄膜量测系统中增添了两款新品。这些量测系统采用KLA-Tencor的最新一代宽带光谱椭圆偏光法（Broadband Spectroscopic Ellipsometry,BBSE）光学元件,让芯片制造商能够测量多层薄膜的厚度、折射率与应力来满足先进的薄膜度量要求。     

功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.