发电厂商策略性报价的行为特性初探

发电厂商的行为特性对其报价策略的选取有重大影响。文中通过指数型效益函数计入发电厂商的风险取向，得到考虑竞价失败损失和发电厂商风险取向的最优报价策略。由于风险取向的不同，发电厂商的报价策略各不相同。但在统一出清电价下，无论发电厂商是何种风险类型，其最优报价在形式上均为在其运行成本减去竞价失败损失的基础上再加上一个提升量。在成本相同的情况下，风险进取者的报价高于风险回避者。避免竞价失败损失是发电厂商报价低于成本报价的根本原因。理论分析和数值算例都说明了上述结论，并用蒙特卡罗模拟验证了最优报价的正确性。     

断块油藏剩余油分布研究

针对平方王油田滨8—3断块油藏运用油藏工程方法、油藏数值模拟技术对该块剩余油分布进行综合研究表明，井网不完善及储层的非均质性是影响该区开发效果的主要原因之一，后期调配重点应加强井网与储层适应性研究。     

渤海绥中油田J3井疏水缔合聚合物驱数值模拟研究

为了进一步提高渤海油田J3井区缔合聚合物驱的技术经济效果,在渤海油田室内配方和先导性矿场试验研究基础上,利用化学驱油藏数值模拟软件FAPMS,分析和研究了高浓度缔合聚合物前置段塞、主段塞的大小和浓度以及段塞组合方式对驱油效果的影响,优化设计了渤海绥中油田J3井区块矿场试验的最佳注入程序及段塞大小。结果表明,通过对不同浓度的疏水缔合聚合物注入的前置段塞及主段塞和梯度式后续段塞的优化后,原油采收率比未优化时提高了约10个百分点。研究表明,渤海油田应该高度重视聚合物驱的注入方式和段塞优化设计,进一步提高聚合物的技术经济效果。     

浅谈县级有线电视网络的改造

就嘉善有线电视网络在适应数字电视传输时存在的问题以及今后网络的整体改造进行探讨。     

利用整合区域特性约束提高孔隙率模拟精度

本文将空间结构变化的要求与动态资料确定的储量共同作为约束,建立了包含两个约束条件的目标函数, 应用模拟退火算法对孔隙率的空间分布进行预测。在实现过程中,通过初始控制参数的给定及目标函数修改提高了运算效率。由于目标函数有效地整合了静、动态信息,从而降低了模拟结果的不确定性．提高了模拟的精度。合成数据及实际数据的模拟试验表明,整合区域特性约束不仅提高了孔隙率模拟精度,而且算法收敛快、稳定性高。     

有限元技术在数值试井中的应用

分析了试井技术的发展趋势，对有限元分析技术及其发展作了较为全面的介绍，重点阐述了利用有限元技术进行三维建模的方法和步骤，尤其是对复杂的非对称边界和非均质油藏的建模方法和技巧进行了深入探讨。利用数值试井技术，石油工程师可以方便准确地对复杂油藏和边界进行建模，试井的模拟过程和油藏任意位置的压力瞬间变化都可以通过图形和颜色的变化显示出来，解释的精度和速度都得到了大大地提高。     

使用Monte Carlo方法对光子-物质的相互作用进行模拟

在医学影像获得方法中，核医学与传统的放射线探测，扫描仪探测，核磁共振相比，是唯一能获得器官功能性信息的方法，但它获得的图像质量不如其他方法。开发了一种图像探测仪并使用Monte Carlo方法对其各组成部分进行模拟从而可以通过调整参数来获得高分辨的图像。     

分子筛绿色化合成技术的开发

对现有分子筛合成废液中氨氮及还原性物质的来源进行分析，确定降低排放废水中氨氮浓度及COD的方案。对现有ZRP-5分子筛制备流程进行优化，增加母液及赶胺水回用工序；建立母液浓缩装置，将钛硅分子筛及Β分子筛的合成母液及重排母液应用于ZSM-5分子筛的合成，实现废液的梯级利用。上述措施既解决了因分子筛生产废液的排放造成的环境污染，亦因废物资源化降低了ZSM-5分子筛的生产成本。     

PXI高速数据采集卡

PXI高速数据采集卡PXI一9820的分辨率为14位，频宽为30MHz，配备两组可同步采集的模拟输入端，两组同时使用时的采样频率为65MSPS，采集一组模拟输入时的采样频率可达130MSPS，输入可由软件选择为-1～1V或-5～5V，输入阻抗可选择为50Ω或1．5MΩ，最高可支持512MB的标准SDRAM，提供数秒的储存空间。具有软件触发、模拟触发与     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.