a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

镍层耐硝酸腐蚀性测试——一种简单的预先探测ENIG镍层“黑盘”现象的测试方法

随着更加精细的SMT、BGA等表面贴装技术的运用,化学沉镍金(ENIG)作为线路板最终表面处理得到了越来越广泛的应用,同时可怕的“黑盘”现象也随之更广泛地“流行”起来,直接导致贴装后元器件焊接点不规则接触不良。为了贯彻执行最好的流程控制和采取有效的预防措施,了解这种焊接失败的产生机理是非常重要的,及早的观测到可能发生“黑盘”现象的迹象变得同样关键。本文介绍了一种简单的预先探测ENIG镍层“黑盘”现象的测试方法-镍层耐硝酸腐蚀性测试,这种测试可以用于作为一种常规的测试方法监测一般化学沉镍溶液在有效使用寿命范围内新鲜沉积的镍层的质量。利用Weibull概率统计分析在不同的金属置换周期(MTO)下镍层的可靠性能表现。结合试验结果得出了一个镍层耐硝酸腐蚀性的判定标准。     

镍铬合金在酸性CuCl2溶液中反应机理

对铜在酸性CuCl_2溶液中蚀刻反应机理论述,利用氧化-还原电动势原理,详细论述了Ni80Cr20合金在酸性CuCl_2溶液中化学蚀刻反应机理,以及影响蚀刻速度的因素,并对溶液中金属离子的存在形式作了验证。     

Preparation and properties of nano-sized SnO2 powder

1　INTRODUCTIONSnO2isoneofthemainmaterialsusedingassensor.Becauseofthehumidityandgassensingfunction,itattractsmoreandmoreattentions.Butthepresentproblemishowtoimprovethestabilityandsensibilityofgassensor.Researchershavetakenmanymeasurestoresolvethisproble…     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

以盐石膏为原料的石膏粉生产及应用研究

介绍了本公司对盐石膏资源的综合利用情况，试验研究和生产实践表明，以盐化工业副产品-盐石膏为原料，不仅可以生产出高质量的建筑石膏粉产品，而且还能生产出性能优异的模型石膏粉产品，实现变废为宝，具有明显的经济效益和社会效益。     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.     

有机化合物中碳原子化学环境的分类

进行碳－１３ＮＭＲ波谱模拟的一种常用方法为线性回归，其数学模型则由已知结构所测得的化学位来建立。显然，每一数学模型仅可用于某种相似的化学环境。因此，为了进行化学环境的分类，本文提出权重层次位图法和分子连接性指数法两种方法以进行一些参数的计算，同时采用多元分析手段，如主成分分析和聚类分析，以进行多维空间数据点的显示，所得结果比较满意，从而可为碳－１３波谱模拟中回归方程的选择提供理论依据。