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91.
以连续导电模式(CCM)的Buck变换器为例,详细介绍了数字均值电流控制技术,着重推导后缘、前缘、三角后缘及三角前缘调制DAC控制Buck变换器的占空比算法.证明了双缘调制方式的数字均值电流控制具有优异的负载瞬态特性. 相似文献
92.
研究以高速开关阀为先导阀、安全阀为锥阀结构的数字比例溢流阀特性。搭建数字比例溢流阀试验平台,开展了锥阀式数字比例溢流阀的试验研究。试验结果表明:当高速开关阀控制信号的频率为50 Hz时,既能保证一定的有效占空比范围,又能满足系统的频率响应性能;锥阀式数字比例溢流阀的重复特性较好;在占空比正反向连续变化时,锥阀式数字比例溢流阀的系统输出压力在同一占空比时的变化很小,滞环现象不明显,能够满足系统控制的要求;不同流量对占空比范围和最高压力影响不大,但影响系统最低压力;锥阀式数字比例溢流阀调节压力在10%~60%范围内近似线性变化,比滑阀式结构调压性能好。 相似文献
93.
脉冲偏压占空比对复合离子镀TiCN涂层结构和性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用多弧离子镀和磁控溅射复合离子镀技术在高速钢基底上制备TiCN涂层,通过改变脉冲偏压占空比的大小获得了不同的涂层试样,利用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计等对涂层进行表征,研究占空比对TiCN涂层组织结构和力学性能的影响。结果表明:随着脉冲偏压占空比的增加,TiCN涂层的表面大颗粒逐渐减少,表面形貌得到改善。涂层结构中,(111)晶面的择优取向趋势明显,沉积速率和显微硬度均出现先增大后减小的趋势,且在占空比为40%时均达最大值。TiCN涂层的最高硬度为3 800 HV0.025,约为基底硬度的4倍。 相似文献
94.
AZ91D镁合金微弧氧化膜性能影响因素 总被引:1,自引:0,他引:1
采用新型双端脉冲电源在大面积镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜,研究了电源电压、占空比和电流密度对微弧氧化膜性能的影响。结果表明,微弧氧化膜的厚度随电压、电流密度和占空比的升高而增厚。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。盐雾试验表明随占空比、电流密度和电压增加,氧化膜的耐腐蚀性均减弱。 相似文献
95.
交流窄脉冲占空比调制对钛合金微弧氧化陶瓷涂层的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
采用交流窄脉冲微弧氧化法于Na2SiO3-KOH-(NaPO3)6溶液中在Ti6A14V表面形成了陶瓷化涂层。用常压氧化方式(U=500V),研究了正脉冲占空比对涂层生长速率、组织形貌和相组成的影响。为优化工艺,采用常流氧化方式(J=60mA/cm^2),并提出了占空比分级调节制度。结果表明:常压方式下,随正脉冲占空比的增大,涂层的生长速率增加,涂层的表面逐渐变得粗糙。涂层主要由TiO2(锐钛矿相及金红石相)相组成,随占空比的增大,涂层中锐钛矿相TiO2的相对含量减小,金红石相TiO2的相对含量增加,并成为主晶相。正脉冲占空比为8%时可获得组织结构较致密且较厚的涂层。采用常流氧化方式,涂层的生长速率比常压方式明显增加,进而对占空比进行分级式调节可使涂层的表面结构得到改善。 相似文献
96.
97.
本文通过对脉宽调制技术在直流分压中应用研究,给出了一种双通道脉宽调制直流分压电路的设计方案,并对设计中涉及到的技术进行了总结与阐述,设计的分压电路最小分辨率达到. 相似文献
98.
99.
100.