双脉冲电镀非晶态Ni-P工艺对镀层性能的影响

双脉冲电镀制备的镀层性能优异,而目前双脉冲电镀非晶态Ni-P镀层鲜见报道.利用双脉冲电镀制备非晶态Ni-P合金镀层,研究了平均电流密度、正向占空比、温度、亚磷酸及柠檬酸钠浓度对镀层性能的影响.结果表明:随着平均电流密度增大,Ni-P镀层的沉积速率增加,腐蚀电位越来越负,镀层表面由平整致密变得有气孔和凸起,甚至起皮;正向占空比从30%增大至70%时,镀层的组织结构从完全非晶态转变为晶态,腐蚀电位越来越负,正向占空比为30%时,腐蚀电位最正,最不易被腐蚀;温度影响镀层的光亮度和平整度,70℃时镀层外观形貌最优,腐蚀电位最正;随亚磷酸浓度的增加,镀层外观形貌由平整致密变得有大量黑色条纹和起皮,为了得到外观形貌较好且腐蚀电位较正的镀层,亚磷酸浓度在20～30 g/L之间为宜;随柠檬酸钠浓度的增加,镀层沉积速率降低,腐蚀电位变正,不易被腐蚀.     

星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示研究

运用程序占空比概念,对星用微处理器动态和静态单粒子翻转率之间的关系进行了研究,实现了星用微处理器动态单粒子翻转率的预示。将星用微处理器在轨运行期间满足单粒子翻转指标要求的概率与单粒子翻转率和飞行寿命联系起来,探讨了器件级和系统级的星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示方法。     

基于调节振荡频率的脉冲占空比测量

脉冲占空比是反映脉冲信号的一个基本参数,在电子测量中占有重要地位。本文设计了一种利用可调频率振荡电路校准,基于电子计数的脉冲信号占空比的测量电路。该电路采用基本数字电路组合,以数字显示形式直接给出脉冲信号的占空比。通过Multisim仿真验证测量电路能够按照预先设计的方案对脉冲信号占空进行有效的测量,调节简便,测量结果可靠,对50Hz～10kHz范围内的脉冲信号测量的误差一般不超过2%,能较好地满足测量要求。     

基于占空比前馈的储能电池系统控制方法

本文提出一种基于占空比前馈的储能电池系统控制方法,该方法针对电池充电与放电两种状态下控制系统PWM调制特点,设定两种不同的占空比前馈增量算法,以提升双向DC-DC变换器Buck模式与Boost模式的响应速度及稳定性。详细阐述了该控制方法的系统结构与前馈增量算法流程设计,并搭建了应用该方法的储能电池系统仿真模型。通过仿真...     

重复脉冲极性及占空比对变频电机绝缘局部放电起始电压的影响研究

研究重复脉冲电压参数对变频电机绝缘局部放电起始电压(PDIV)的影响规律,有利于低压散绕电机的绝缘性能评估。本文搭建了重复脉冲及正弦电压下的局部放电测试系统,通过对双绞线施加不同电压波形,研究了重复脉冲极性及占空比(0.01%～70%)对I型变频电机匝间绝缘PDIV的影响规律及机理,分析了正弦与脉冲电压下PDIV测试等效条件。结果表明：占空比为50%时,脉冲电压双极性下试样PDIV约低于单极性下PDIV的12%;随着脉冲占空比的增加,单极性下PDIV值逐渐升高,双极性下PDIV变化较小,但呈现先增加后减小的趋势;当单极性脉冲占空比为10%以下,双极性脉冲占空比为30%～70%时,与正弦电压下PDIV测试值最接近。对此,采用脉冲电压测试电机绝缘PDIV时,需考虑占空比的选取;且在一定电压参数下,正弦与脉冲电压PDIV测试基本等效。     

基于CPLD的比例阀控制方法

定性分析了比例阀控制中脉冲宽度调制(PWM)频率的影响因素,得出了PWM控制中PWM频率与比例阀时间常数相关的性质,说明了比例阀PWM控制中PWM频率的取值趋势.给出了在可编程逻辑器件(CPLD)上实现PWM控制的方法和误差分析,实现了比例阀的PWM控制算法,得到了在复杂液压系统中使用CPLD控制的可行性结论.     

一种谐振型混合调制的电流型高增益双向变换器

为减小双向变换器低压侧电流纹波,改善变换器硬开关现象,降低其闭环系统设计的复杂程度,提出一种谐振型混合调制的电流型高增益双向变换器。该变换器在低压侧全桥桥臂中点加入2个交错并联的Boost电感,在增加变换器增益的同时可减小变换器低压侧电流纹波,高压侧为倍压整流电路,进一步增加了变换器增益,同时利用变压器漏感与谐振电容谐振创造了高压侧开关管ZCS的条件。该变换器正反向均采用PWM+PFM混合调制控制,通过改变占空比调节输出电压,调节开关频率实现高压侧开关管的ZCS,采用该控制方案降低了变换器闭环系统设计的复杂程度,并可减小高压侧开关管的关断损耗。搭建一台600 W试验样机,进行正反向实验,验证所提方案的有效性。     

隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。     

基于互补占空比调制的改进全桥ZVS直流变换器

针对传统移相全桥零电压开关ZVS （zero voltage switching）变换器存在的例如软开关范围受限、占空比丢失以及寄生振荡问题,提出了一种基于互补占空比调制的改进全桥ZVS直流变换器。通过引入并联辅助谐振网络以实现滞后桥臂开关宽范围的ZVS,选择较小的谐振电感以减少占空比丢失,引入原边钳位二极管网络以消除寄生振荡。详细阐明了工作原理与特性分析,并进行了仿真对比。结果显示,在20%负载条件下,相较于传统移相全桥变换器,所提改进全桥变换器保证了软开关特性且消除了寄生振荡。     

分簇无线传感器网络中密度感知的自适应占空比机制的研究

本文提出了一种密度感知的自适应簇内占空比机制:DAA-DC(Density Aware Adaptive Duty Cycle).DAA-DC能够根据簇内节点密度,自适应的将簇成员进行分组,同一小组的簇成员的工作周期相同,但与其他小组的工作周期不相重叠,从而在不改变网络拓扑结构以及其他网络参数的前提下,降低工作节点的密度,减少冲突发生的概率,提高网络吞吐量.我们将DAA-DC应用于S-MAC,并在NS2网络仿真平台对其性能进行了仿真.仿真结果表明,DAA-DC能够有效地减少冲突的发生概率,提高数据传输效率.