Si3N4陶瓷材料高温氧化层的分析

利用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＸＰＳ和ＳＥＭ的分析方法，研究了在１３００℃下氧化后Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面氧化层的组成的形貌，结果表明，Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的表面氧化层是由方石英相和含有Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的ＳｉＯ２质玻璃相所组成，其中ＳｉＯ２玻璃相听Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的含量随氧化时间的增加而逐渐增加，同时在氧化层的内部都还存在部分Ｓｉ２Ｎ２Ｏ相。     

陶瓷材料的冷加工与热处理

综述评述最近发展起来的陶瓷材料的烧结后冷加工热处理法“控制破碎成形加工法”，着重介绍该方法的由业，阐明其理论与实验基础，同时，介绍其应用并讨论其发展前景。     

兼顾工件强度和磨削损伤的陶瓷材料磨削

通过磨削试验研究得出了保证被磨工件的强度和陶瓷工件上由于磨削引起的损伤深度的方法。研究了金刚石砂轮的粒度和砂轮磨削深度，工件速度，磨削速度等加工参数。研究的陶瓷材料包括热压氮化硅，反应烧结的氮化硅，氧化铝及碳化硅陶瓷，研究结果提供了达到最高的工件磨后强度和实用的损伤深度的结果，用来极小化磨削时间。     

耐冲蚀磨损的陶瓷材料复相设计与评估

选择几类不同系列的先进陶瓷材料,分析了其磨损规律与材料力学参数及其显微结构的内在关系,实验结果表明,具有硬度较高的碳化物材料的抗低角度损能力最强,而引入能量耗散机制的复相陶瓷的抗高角冲蚀磨损性能增加,提出了不同冲蚀角度工况下耐磨陶瓷的复相设计要点。     

NTC半导瓷制粉法对工艺性能之影响

本文介绍一种用硝酸盐分解法制备ＮＴＣＲ粉料，并与常规球磨法、化学共沉法制粉在工艺、性能上进行比较。在对ＮＴＣＲ性能要求较高的条件下，硝酸盐分解法不失为一种简便易行的方法。     

低电压氧化锌压敏电阻器的研究

研究了一种制造低电电压氧化锌压敏电阻器的方法。在基本成分的基础上适当加入二氧化钛可降低梯度电压（Ｖ１ｍＡ／ｍｍ），适量掺硼和改进热处理工艺可减小元件的漏电流和提高其稳定性。     

Sb2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒分布特性的影响

改善晶粒分布的均匀性是获得高性能ZnO压敏陶瓷的重要手段之一.本文主要从平均晶粒尺寸、晶粒分布均匀性以及晶粒形状等角度研究了不同Sb2O3掺杂含量的ZnO压敏陶瓷试样,并应用晶粒尺寸分布不均匀系数ε和形状参数k对晶粒进行量化.结果表明:随着Sb2O3掺杂量的增加,试样的平均晶粒尺寸ε以及k呈现减小的趋势,晶粒尺寸分布均匀性改善,晶粒形状由细长向规整发展,这些结果也可以很好地解释试样电性能得到改善的原因.分析认为Sb2O3掺杂后形成的尖晶石相抑制了晶粒的异向生长,使得晶粒尺寸减小,晶粒分布均匀性以及晶粒形状得到改善,而且尖晶石相对大晶粒区晶粒生长的抑制作用比小晶粒区弱.     

陶瓷喷砂嘴的冲蚀磨损特性及其损坏机理

采用热压烧结工艺制备了Al2O3/TiC、Al2O3/(W,Ti)C和B4C陶瓷喷砂嘴.以SiC和Al2O3为冲蚀磨料进行了喷砂冲蚀试验.结果表明纯B4C陶瓷材料的烧结温度高、保温时间长、致密度低、晶粒粗,抗弯强度和断裂韧性低,但硬度最高;而Al2O3/TiC和Al2O3/(W,Ti)C陶瓷材料的烧结温度和保温时间比纯B4C陶瓷大大减小,致密度高,抗弯强度和断裂韧性比纯B4C陶瓷高1倍以上,但硬度相对低.对陶瓷喷砂嘴在磨料冲蚀下的应力状态进行了有限元分析,结果表明陶瓷喷嘴入口处所受的应力最大,出口次之,中间区域最小.B4C陶瓷喷砂嘴的最佳入口锥角为11°,而Al2O3/(W,Ti)C陶瓷喷砂嘴的最佳入口锥角为16°.陶瓷喷嘴入口和出口处的磨损机理主要表现脆性断裂;而中间区域的磨损机理主要表现为磨料颗粒对喷嘴内壁表面的研磨、抛光和微切削作用.