(Ti,M)C复式碳化物制备方法的研究进展

对当前(Ti,M)C碳化物的制备方法进行了综述,详细介绍了不同制备方法的制备过程及原理,对不同制备方法的优缺点进行了论述。碳热还原法是目前广泛使用的一种方法,能够制备复杂成分的(Ti,M)C,但该方法耗能大、工艺流程复杂;预合金化法能够制备某些特定成分的碳化物,但其使用范围受限;自蔓延高温合成法可以制备多种成分的(Ti,M)C,但大部分情况下需要预热且存在反应不完全的情况。目前没有一种制备方法同时具有高效、工艺流程简单、适用性强且产物纯度高等优点,对现有制备方法进行改进以满足工业化应用是(Ti,M)C复式碳化物的研究发展方向。     

促进剂DM的环保合成工艺

研究促进剂DM的环保合成工艺。结果表明:以促进剂M为原料,以可循环使用的乙醇为溶剂、以双氧水为氧化剂,采用一步法制取促进剂DM时,在反应温度为60℃、加料时间为60 min、氧化剂过量为5%、反应时间为90 min的最佳工艺条件下,制得的促进剂DM初熔点可达到180℃,且熔程短;在反应体系中添加硫酸铜等助剂可以解决产品堆密度小的问题。     

降低紧密纱浆纱断头的措施

我公司有K44型紧密纺、绪森紧密纺和华方紧密纺纱设备。在色织布的生产实践中发现,在相同染色工艺和浆纱工艺条件下,K44型紧密纺设备纺出的JC 11.7 tex紧密纱(以下简称K44紧密纱)500万米断头根数为0.48根,而华方设备纺出的JC 11.7 tex紧密纱(以下简称华方紧密     

1铬（Ⅵ）污染水处理技术研究进展

随着印染、制药等行业的飞速发展，受铬（Ⅵ）污染水的危害逐渐显现出来，本文主要介绍了零价铁氧化还原法、活性炭吸附法对水中铬（Ⅵ）去除技术的研究进展，并展望了铬污染水处理技术的发展趋势。     

以天青石矿为原料生产高纯硫酸锶工艺研究

针对青海天青石矿的特点以及高纯硫酸锶的市场特性、生产关键技术与配套工艺的关键性问题，提出具有针对性、先进性并可实现产业化的生产高纯硫酸锶的工艺方案。重点提出了以碳还原法加工天青石矿制取高纯硫酸锶的工艺路线。通过单因素实验确定了最佳工艺条件：煅烧温度为1 200 ℃，天青石精矿和煤粉的质量比为5∶1，硫化锶浸取温度为90 ℃，氢氧化锶溶液和稀硫酸的质量比为1∶1.1。在此条件下，高纯硫酸锶的平均收率为95.53%。实验制备的硫酸锶产品为白色，纯度为99.3%，各项指标达到化学纯的要求。     

氟苯咪唑合成工艺优化

文章旨在优化氟苯咪唑现有生产工艺,优化后的工艺在硝基还原步骤将羰基一并还原为羟基,在环合反应完成后再用双氧水将羟基氧化为羰基。与原有工艺相比,优化后的工艺摒弃了硫化碱还原工艺,更加清洁环保;反应时间缩短,大大提高了生产效率;收率也有5%~8%的提高;纯度可达99.9%。产物进行了核磁波谱和质谱标定,并与标准品进行了高效液相色谱对照。     

选择性非催化还原法SNCR脱硝技术在火力发电厂的应用

介绍选择性非催化还原法SNCR脱硝技术的原理及系统的组成,探讨选择性非催化还原法SNCR脱硝技术在火力发电厂的应用。     

制备工艺对钯粉粒径的影响

探讨了利用液相还原法,以水合肼为还原剂,制备大颗粒钯粉,应用单变量对比试验的方法讨论了Pd2+浓度、温度、pH值对钯颗粒形核和生长过程的影响,这些因素的影响决定了钯颗粒粒度大小和服役性能。经分析和讨论,得出参数Pd2+浓度为0.1 mol·L-1,pH值为12,温度为50℃是最佳工艺参数的结论,并在此参数下制备出较大粒径的钯粉,且利用SEM,XRD,马尔文激光粒度仪、氮吸附等对其进行表面微观形貌、成分、粒度分布和比表面积等性能进行了分析,较有力地说明这种钯粉具有纯度高、比表面积大等优点,能够满足现排代服役条件的要求,对实际工业生产具有一定的指导意义。     

双氧水对自呼吸式燃料电池性能的影响

将双氧水加入到阳极燃料甲醇溶液中来研究其对DMFC性能的影响。双氧水作为阳极助氧化剂将甲醇催化氧化产生的中间体CO氧化成气体CO2排出,从而减少中间体在催化层表面的吸附,增强催化剂的催化性能,从而提高电池的输出性能。通过探讨不同双氧水浓度和不同温度情况下,甲醇催化氧化的氧化峰电流密度及自呼吸式燃料电池的极限功率密度,阻抗等性能来分析双氧水在其中的作用。结果表明低浓度的双氧水确实能提高DMFC的输出性能,并且在双氧水的浓度为0.05 mol/L,温度为55℃时DMFC性能最佳。     

碳源对AlON粉体合成及其透明陶瓷制备的影响

以纳米炭黑、微米碳粉为碳源,采用碳热还原法合成AlON粉体和无压烧结制备AlON透明陶瓷。利用X射线衍射仪、扫描电镜、颗粒度分析仪和分光光度计等研究碳源对粉体及陶瓷制备的影响。结果表明:碳源尺寸及形貌与AlON粉体的合成温度、粉体形貌及颗粒大小密切相关;采用纳米炭黑降低了AlON粉体的合成温度,在1730℃合成了单相粉体;采用微米碳粉在1750℃煅烧2h条件下制备了高纯度的AlON粉体,从而制备了高透光率的AlON陶瓷,该样品(1mm厚)在1000~5000nm波长范围内的直线透过率在80%左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7%,其平均晶粒尺寸为110~120μm。