基于MODBUS协议的激光雕刻切割系统HMI人机交互设备

近年来,国内激光雕刻切割控制器技术发展迅速,基于PC的传统控制器已相当成熟.为了显著提高工业生产效率,适应工业生产规模扩张的需要以及工业对系统稳定性要求的提高,目前国内几家专业运动控制器厂家已经实现了激光雕刻切割控制器的完全脱机运行.本文针对脱机控制器的需要设计一款人机交互设备,该设备采用AT89C55WD单片机为主控制器,采用标准的MODBUS协议实现HMI与脱机控制器的可靠通讯.     

双频抽运提高SBS相位共轭保真度

相位共轭保真度是相位共轭镜技术用于强激光系统中的一个重要指标。采用四波混频加强SBS的方法 ,其相干拍频驱动声子场 ,能提高SBS相位共轭保真度。对于双频单池结构 ,使用列阵相机测量激光束能量远场角分布 ,在SBS转换效率最佳时 ,对相干驱动SBS相位共轭保真度进行了实验研究     

铜蒸气激光器种子注入光腔的参数计算

用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。     

掺杂聚苯胺导电膜的制备及对核设施表面铀的去污

制备了掺杂导电聚苯胺可剥离膜，首次采用涂膜、电解联用去污方法，进行涂膜电解去除渗透到核设施金属材料内部形成氧化物的铀。在膜中，聚苯胺、盐酸、EDTA-2Na含量各为4％、0．5％～1%、1％；电解电压2．3V、电解时间25min～30min时，其去污率可达99％，优于其它的方法。     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

不易受反射影响的掺铒光纤放大器

从实验上和理论上考查了在掺印光纤内隔离器的插入对光纤放大器对外部反射的灵敏度的影响，考查了处于不同饱和范围的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）的情况，而且把具有隔离器的光纤放大器结构与不上有隔离器的传统结构进行了比较。发现最显著的改善是在小信号范围内，对反射的要求可放宽１３ｄＢ。这一优点，连同增益和噪声指数的提高，使具有这种隔离器的光纤放大器结构对于用作前置放大器来说格外引人注目。     

受温变形试验装置的高精度控温系统

受温变形试验装置的高精度控温系统刘鑑莹，杨春ＨｉｇｈＡｃｃｕｒａｃｙＭｉｅｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＴｈｅｒｍａｌＤｅｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｓｔｉｎｇＤｅｖｉｃｅ￥ＬｉｕＪｉａｎｙｉｎｇ；ＹａｎｇＣｈｕ...