C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。     

基于FPGA的TIADC并行采样系统设计

介绍一种基于多片ADC的时间交替并行采样设计方法以及在FPGA平台上的实现.着重阐述TIADC并行采样的增益误差、时间误差校正算法及实现.实验结果表明,TIADC并行数据采集系统的结构设计和预处理算法,能较好抑制因相位偏移、时钟抖动等造成的非均匀误差.     

理想导电劈的时域并矢格林函数和时域特性

本文采用本征矢量函数展开(OhmRayleigh)法和Laplace变换导出了理想导电劈的时域并矢格林函数,并系统地分析了它的时域特性。得到了一些结论,完善了C.T.Tai(1973)的理论,为进一步分析劈的时域性质(如时域RCS)提供了参考.     

ATE中的浮动V/I源

本文论述了浮动V/I源和共地V/I源的构造区别,及在开尔文检测和多工位并测方面的差异,论述了浮动V/I源的各种类型和应用优势,并分析了浮动V/I源的共模干扰和与此相关的一些认识误区。关键词:浮动V/I源;共地V/I源;多工位并测;共模干扰     

时序彩色LCoS数据接口的优化设计

介绍一种在时序彩色LCoS微显示集成电路芯片内部运用的串人并出数据变换方法，即将外部串行输入的数据作并行输出处理，使得在同一时钟周期内可写入更多的像素数据，减少像素数据的写入时间。为液晶响应和光照留下更多的时间，保证图像亮度，提高图像显示质量。使用该方法可以节省芯片外部管脚数目。降低产品成本。该方法在单片和三片式LCoS中都可运用。采用Verilog HDL对该数据变换模块进行设计，并进行了逻辑功能仿真，仿真结果表明该方法能将像素数据写入时间缩短约一半。能完成预期功能。     

基于SIMD-MPP并行模型的图像调度与映射方法研究

文章提出并设计了一种基于SIMD-MPP并行模型的图像划分和图像映射方法,使得在基于SIMD-MPP并行模型的景象匹配全遍历搜索过程中,从存储器读取基准图的每个像素只需一次,使处理元阵列与存储器之间的数据通信量减到最小,有效地解决了基准图的重复读取“瓶颈”问题。     

用有限元—边界积分法研究有限壁厚矩形波导窄边斜缝

本文应用有限元－边界积分法研究有限壁厚矩形波导窄边斜缝导纳特性，该方法首先用等效源原理及镜原理建立缝隙表面磁场积分方程，然后把它们代人到缝腔中场满足的变分公式中，最后用有限元法求得缝腔中及口面上的电场分布，求解把缝效为传输线上对称T型网络时缝并联导纳与缝倾斜角度及切割深度的关系，同时，观察了波导壁厚度及缝宽对谐振频率的影响。计算数据与最新发表的实验数据比较，结果基本一致。     

炭黑分布对NR/BR复合材料性能的影响

摘要：研究了炭黑（CB）在NR/BR并用比为80/20复合材料中的分布对材料性能的影响。结果表明：当炭黑分布在BR中越多时,NR/BR复合材料硫化胶的拉伸强度、定伸应力、扯断伸长率和耐磨性提高,屈挠性能、压缩温升和动态损耗因子（tanδ）降低。     

导体柱和周期结构旁振子的场

应用并矢Ｇｒｅｅｎ函数给出旁有电，磁振子的导体柱表面电流的积分方程和场妈及开槽周期结构在周期性激励下的场，在应用矩量法时，所给结果可用以计算导纳或阻抗系数。