MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。     

粉末有机硅改性聚氨酯涂料介绍

聚氨酯粉末涂料是由粉末状聚氨酯树脂、固化剂、颜料、填料及助剂等组成的粉状混合物，通常是将各物料高速混合后，经挤出、冷却、粉碎、筛分而制得。它除具有常规粉末涂料的特性之外，还具有优良的物理机械性能和防腐性能，涂膊光亮丰满、耐磨、耐划伤、耐溶剂、流平性好、附着力强，被广泛用于冰箱、洗衣机、空调等家电及钢琴、高级家具、汽车、摩托车等产业。先制备封端的聚合物，然后在高温下解封，并与体系中的含羟基化合物反应，[第一段]     

深圳光电产业跻身世界最前列

世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目1号厂房最近在深圳光明新区正式投产，“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。这一全球最大的化合物半导体产业基地启动投产，标志着代表21世纪未来的我国这一民族高科技新兴产业，从深圳起步、跨越，迅速站到了世界先进水平的最前列。     

杂多化合物催化剂及其制备方法和应用

本发明涉及杂多化合物催化剂及其制备方法和用于丙烯一步选择氧化生产丙烯酸的方法，杂多化合物催化剂由磷钼系杂多化合物和载体组成，所述磷钼系杂多化合物的通式为：PMoaVbTecAsdMe^1Mf^2Ox，所述催化剂用于丙烯一步选择氧化生产丙烯酸的方法包括丙烯和氧气或空气、氮气的原料气混合物在杂多化合物催化剂作用下进行选择氧化反应；本发明简化了流程，节省了投资，降低了生产费用，使取代两步生产丙烯酸的方法成为可能。     

石墨层间化合物的开发与应用前景

本文对石墨层间化合物的结构特征，合成方法，物理及化学特性以及工程应用前景等几个方面内容进行了综合评述。同时介绍了最新研究成果和国际上比较热门的研究动向。     

具有Th2Ni17结构类型的R2M17六角相的形成规律研究

具有Ｔｈ＿２Ｎｉ＿（１７）结构类型的Ｒ＿２Ｍ＿（１７）六角相的形成规律研究贺连龙，叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）Ｒ＿２Ｍ＿（１７）相属于稀土－过渡族金属系金属间化合物。这类化合物以Ｒ－Ｃｏ，Ｒ－Ｆｅ为代表均具有良好的...