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本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上,根据具体应用要求,结合基-4算法的长处,对传统基-8FFT的结构做了改进,并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确,而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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回想六年前英特尔公司刚刚推出Pentium4处理器的时候,很多PC厂商在产品跟进上都没有表现得特别积极,而是采取了保守的观望态度,毕竟Pentium4相对于Pentium III处理器来说发生了体系结构的变化,而最初的Willamette核心又没有表现出明显的优势,因此很难令人信服。相反,采用全新Co 相似文献
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在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
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对爆炸效应在淤泥软基工程中的应用问题进行了探讨,并首次提出了爆炸在淤泥软基中的分界应力特征以及排水固结及破坏分区的基本模式。为采用动力加速对淤泥软基工程的处理,提供了试验依据,具有实用价值和指导意义。 相似文献
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电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO3基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO3基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO3基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用. 相似文献
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阐述了爆炸置换法在围垦项目软基处理应用中的质量控制和检测方法,通过对该施工工艺的事前控制、事中控制和事后检测,可以有效地保证工程质量。 相似文献
39.
《光电子技术》2006,26(2):105-105
该摄像组件采用I-CCD技术和自动控制电路技术,能够在10-41x~1051x环境工作照度范围内正常工作。具有动态宽、功耗低、体积小及光动态响应速度快的特点,是可昼夜合一使用的摄像装备。能应用于公安刑侦、边防监视。摄像组件还适用于水下微光环境作业,可广泛用于探索海洋奥秘、探测和开采海底矿藏、进行水下工程、监视鱼群动向等。性能指标:分辨率/TVL:≥500信噪比/dB:≥40灰度:≥9级探测距离(星光下)/m≥250环境工作照度/1x:10-4~105(光动态范围)功耗/W≤2.5W外形尺寸/mm:132×71×62(不含镜头)工作温度/℃:-20~+50贮存温度/℃:-40~+55SG… 相似文献