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51.
康显澄 《四川冶金》1994,16(4):43-51
本文就国外对不锈钢钝化膜的性状的研究进展,如膜厚,膜的组成,膜的半导体性质和点缺陷的传送特性等加以综合叙述,并简要介绍研究不锈钢钝化膜的方法。  相似文献   
52.
氧化铅丝生产过程中最关键的工艺是连续阳极氧化。氧化膜击穿电压决定于氧化膜厚度。控制膜厚度的三要素为:电解液(成份、浓度及温度),槽电压和铝丝走速。  相似文献   
53.
54.
采用厚膜技术研制了一种带有加热器的La_(1-x)Sr_xCo_(1-y)Fe_yO_3酒敏器件。介绍了器件性能测试结果,讨论了材料的气敏机理。  相似文献   
55.
56.
LB膜在传感器中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
李春鸿 《化学传感器》1992,12(1):9-12,18
LB 膜是 Langmuir—Blodgete 膜的简称。由美国 Langmuir、Blodgete 二人首次提出而取此名的。它是在化学传感器及电子学等领域中很受重视的一种功能性有机薄膜。制备方法是把样品(通常为两性分子)溶解在有机溶剂中,取一定量溶液非常小心地滴在次相层(通常为水)表面上,亲水基与水接触,疏水基远离水面,这样在气液表面就可以形成取向整齐的单分子层膜。然后把它(单分子膜)压缩,使它在固定的表面压下转移到其它金属或玻璃等的基板上。现在习惯上把浮在水面上的单分子膜称为 Langmuir 膜;  相似文献   
57.
58.
用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3~ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3~ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy~H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M~H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨  相似文献   
59.
60.
应用ITO膜作电荷收集极的位置灵敏探测器   总被引:1,自引:0,他引:1  
白云  刘正民  张晓东 《核技术》2002,25(4):283-286
首次尝试将ITO(Indium Tin Oxide)膜与微通道板(Microchannel Plate)结合用作位置灵敏探测器,并对该探测器的线性、位置分辨及探测效率作了测试,得到了令人满意的结果。  相似文献   
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