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991.
借助高能球磨Al及5%CuO合成了纳米复合粉末,进而在退火后,通过热压和热挤制备出了组织均匀、致密、晶粒尺寸约为120 nm~150 nm的亚微米块体Al基复合材料.XRD和显微组织分析表明:粉体球磨时,Al与CuO之间发生了还原反应,但生成物的热稳定性较差,在400℃退火过程中发生了与球磨时相逆的固态反应;复合粉末显微组织上的冷焊条纹其实质是球磨产生的高畸变区,退火使之逐渐消失;制备的亚微米块体复合材料主要以Al2Cu和Al2O3颗粒为增强相,室温下具有良好的压缩性能,但拉伸时表现出极大的脆性. 相似文献
992.
研究了水平连铸过程中在保温炉内施加功率超声熔体处理对Al-1%Si合金凝固过程的影响.结果表明:施加功率超声后,合金凝固曲线第1个拐点左移,斜率发生了变化,且随着超声功率的增加,合金的结晶温度升高,当超声功率为1000W时,结晶温度提高了33℃;同时,施加了功率超声后,保温炉内金属液温度分布均匀性随着超声功率的增加得到了显著的改善;金相分析表明,当超声功率为1000W时,铸坯凝固组织得到了细化,同时晶粒尺寸更加均匀;此外,施加功率超声处理后铸坯表面质量得到了提高. 相似文献
993.
通过采用熔融共混的方法制备了PP/CaCO3复合材料,然后对复合材料的力学性能进行分析,研究了微米级和纳米级CaCO3的表面处理、含量对PP/CaCO3复合材料力学性能的影响规律,并对此影响规律进行合理的解释。 相似文献
994.
表面活性剂对氢氧化镍制备的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
近年来,在Ni(OH)2的制备中使用表面活性剂主要是制备纳米Ni(OH)2或超微粉末[1-4]。但由于纳米级或超微粉末Ni(OH)2不适合于目前以泡沫镍为基体的Ni-MH电池的生产,所以本实验制备Ni(OH)2晶体时,加入适量表面活性剂对颗粒表面进行改性,控制颗粒的生长和团聚,制备微米级Ni(OH)2。1实验部分以氨作配合剂利用化学沉淀法将硫酸镍溶液、氢氧化钠溶液、表面活性剂溶液、氨水以一定的比例并流加入反应器,连续搅拌,控制反应温度在50~60℃,pH值10~12之间。反应14~16 h后停止加料,陈化约8 h后,固液分离,洗涤沉淀,烘干得到氢氧化镍产品。在制备过… 相似文献
995.
RIM聚氨酯加工设备及其在汽车内饰件生产中的应用;RPUR静载和动载压缩性能研究;Si3N4/Al-Mg复合材料的无压浸渗制备技术。 相似文献
996.
997.
998.
采用模压-烧结法制备高岭土多孔基板,考察烧结温度对高岭土多孔基板表面形貌与孔隙结构的影响,通过热蒸发法在高岭土多孔基板上制备出In2O3微米材料,并采用XRD、SEM、FTIR、阿基米德排水法等检测手段考察多孔基板及In2O3微米材料的形貌与结构。结果表明,在烧结温度1 200 ℃时所获高岭土多孔基板的孔径尺寸在45 μm左右,显气孔率为32.71%,体积密度为1.48 g/cm3,抗弯强度为15.08 MPa。在该多孔基板上所制备的In2O3产物呈梳状结构,梳齿直径和长度分别在1~10 μm和20~80 μm范围内,梳柄长度约为1 mm,结晶良好。对In2O3微米梳的气敏检测结果表明:In2O3微米梳对NO2气体具有良好的选择性、可逆性和重复性;其对浓度为0.001%的NO2气体的灵敏度随着工作温度的升高呈先升高后降低的趋势,响应时间和恢复时间随之减少,且在最佳工作温度200 ℃时达到最大值,为44.4,此时的响应时间和恢复时间分别为21 s和106 s;In2O3微米梳对NO2气体的灵敏度随着NO2浓度的增加而增加,两者之间呈线性相关,响应时间随着NO2浓度的增加而缩短,恢复时间则随之增长。 相似文献
999.
用微米划痕试验联合扫描电镜技术,分析了室温下沥青混合料界面过渡区(ITZ)的特性,推定了ITZ区域空间几何范围,测试了其断裂韧度及摩擦系数,并采用三点弯曲试验及纳米压痕试验进行了对比验证.结果表明:沥青混合料ITZ区域特性明显,荷载为100 mN时更适用于微米划痕试验,此时ITZ区域在划痕作用下会出现较大破裂面,且其厚度在10~30μm波动,与纳米压痕试验结果相近;ITZ摩擦系数由集料至沥青胶浆呈线性增加,达到最大值后趋于稳定;微米划痕试验测得的断裂韧度值与三点弯曲试验结果相近,且断裂韧度曲线可以较好地识别集料、ITZ和沥青胶浆三相介质,微米划痕试验可以相对简便有效地实现沥青混合料ITZ初步分析. 相似文献
1000.
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在 Si(111)衬底上外延生长 AlN 薄膜,用高分辨 X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得 AlN 薄膜的性能进行表征,并研究了适量H2的引入对 AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在 Si衬底上外延生长 AlN薄膜过程中引入适量 H2,有利于提高 AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0 nm 减少至2.1 nm;适量 H2的引入可使 AlN 薄膜的(0002)和(10-12)面的 X 射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7°及1.1°分别减小到0.6°和0.9°,即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少. 相似文献