半导体超薄层微结构的外延生长技术

半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。     

基体合金化元素Cu对C／Al复合材料界面微结构的影响

本文研究用真空压力浸渍法制造的Ｃ／纯Ａｌ和Ｃ／Ａｌ－Ｃｕ两种复合材料界面微观结构的差异。探求合金化元素Ｃｕ的作用本质。结果表明，Ｃ／Ａｌ－Ｃｕ复合材料界面存在有ＣｕＡｌ２，Ａｌ４Ｃ３，ＡｌＣｕ三种脆性化合物，还发现ＣｕＡｌ２对Ａｌ４Ｃ３的形核影响不明显，但对它的长大有抑制作用。正是由于这种影响，使Ｃ／Ａｌ－Ｃｕ复合材料的耐用温度提高。     

Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析

用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。     

非晶硅薄膜表面与非晶须特性

利用透射电子显微镜(TEM),观测到未见报道的须状微结构,称为非晶须。提出非晶须可能的生长条件是淀积系统中出现大的过饱和气压。X 射线光电子能谱分析表明,非晶硅与其表面SiO_2之间存在化学成分为 SiO_x(0相似文献   

强夯黄土地基抗液化性状的试验研究

通过野外剪切波速测试、室内动三轴试验和微结构扫描对强夯黄土地基进行了对比分析。结果表明，强夯有利于提高黄土地基的抗液化性能，但不能完全消除黄土地基的液化，对黄土地区的强夯施工作业提供了有益的参考。     

Nb2O5掺杂对高频MnZn功率铁氧体微结构和性能的影响.

采用氧化物陶瓷工艺制备了高频MnZn功率铁氧体.从分析材料微观结构入手,研究了添加Nb2O5对MnZn铁氧体起始磁导率μi、电阻率ρ及高频功率损耗Pcv的影响,确定出适宜的Nb2O5添加量为(150～250)×10-6.     

高碱度水泥基材料早期开裂敏感性研究

选用粉煤灰、减缩剂和减水剂，采用五路裂缝测定仪和非接触式电阻率测定仪，分别测试了相同水灰比、不同碱类型的水泥砂浆在干燥条件下约束收缩开裂的初始时间与水泥浆体早期水化24h内的电阻率变化，并测定了水泥砂浆在干燥环境下的抗压、抗折强度．结果表明：碱度增加会加速水泥的早期水化硬化以及微结构的形成与发展；Na^ 提高水泥砂浆早期强度、增加约束收缩开裂敏感性的作用要比K^ 的明显，尤其在低水灰比、掺减水剂时其影响更为明显；粉煤灰和减缩荆可延缓水泥(尤其是高碱度的水泥基材料)的早期水化硬化，降低水泥砂浆强度的发展，推迟初始开裂时间．     

GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化

采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.