攻击HIV的糖类外壳

意义：鉴于HIV（造成AIDS,即获得性免疫缺陷综合症的病毒）需要先进入宿主的细胞,才能利用其复制机制完成自我复制进而继续传播,HIV侵染细胞阶段和复制阶段是抗艾滋病药物的两大靶点。外源凝集素是一类在自然界普遍存在的,可与特异性表面糖类结合并发生相互作用的分子。     

叠层结构的手性液晶单元的反射谱特性

基于手性液晶的布拉格反射特性,设计了旋向相反的手性液晶所构成的红、绿、蓝三基色叠层级联结构,以达到增强单元反射率的目的。采用Berreman 4×4矩阵对其单元反射率进行了分析,比较了手性液晶的单旋向三基色叠层(三叠层结构)与双旋向三基色叠层(六叠层结构)单元的反射谱,给出了改变液晶材料参数和级联顺序进一步提高单元反射率的计算结果。在最佳参数与级联顺序下,六叠层单元的最大反射率达到98.91%,三叠层单元的最大反射率为64.95%。叠层结构单元的色度分析结果表明,三层单元的色温依级联液晶旋向而改变,范围为5 240.9～7 029.8K,在反射率最优的条件下,六叠层单元的色温为6 285.7K。     

医药洁净厂房的回风利用问题

介绍了医药生产中有药物粉尘散发的洁净室如何利用回风、防止药物交叉污染的问题，还对利用回风的经济性作了详细分析和比较。     

力月西与呋噻米存在配伍禁忌

随着临床中新药不断出现,不同种类不同批号的药物之间存在配伍禁忌,在静脉药物配伍禁忌表中无法查获。力月西注射液（眯达唑伦）与呋噻米注射液（速尿）联合使用后出现白色浑浊和沉淀,考虑存在配伍禁忌。     

短螺距手性液晶热敏旋光特性的研究

利用Berreman 4×4矩阵建立理论模型对短螺距手性液晶的旋光率进行求解,使用MATLAB计算得到了手性液晶旋光角随入射角、螺距、盒厚等外界因素变化规律的仿真结果,且通过实验验证了此方法的准确性。对手性液晶旋光效应作为热敏材料的使用进行了实验探究,使用旋光仪测量螺距为250~310nm的手性液晶旋光角,得到手性液晶的热敏旋光特性。结果显示,螺距不同时,液晶的旋光角随温度具有不同程度的变化,但每种螺距下,手性液晶旋光率随温度的变化明显且规律。验证了旋光率热敏效应的稳定性,结果证明将手性液晶作为一种潜在的热敏材料应用的可行性,为手性液晶在温度传感器中的应用提供了实验依据。     

显示用胆甾相液晶材料发展现状

介绍了胆甾相液晶显示性能和对液晶材料的要求,分析了近几年高双折射率液晶化合物和手性掺加剂及其胆甾相液晶材料的应用与发展情况,初步阐明了分子结构与液晶性能及其手性掺加剂的HTP值之间的依存关系,为开发新型液晶化合物、手性化合物和胆甾相液晶材料提供了线索。     

用于线虫药物筛选的微流控梯度芯片和自动化平台

作为一种在微米尺度操作流体的技术,微流控芯片具有反应体系小、通量高、自动化且操作灵活等优势,被越来越多地应用于细胞和微米尺度生物的研究中。秀丽隐杆线虫作为一种重要的模式生物被广泛地用于神经生物学、衰老及发育和药物筛选等研究中。提出了一种用于研究线虫和环境毒素相互作用的微流控自动化平台,该平台集成了基于微振荡原理的快速梯度形成的微流控芯片、自动化控制系统及基于OpenCV的线虫长度及摆动频率估计的自动化图像分析软件。通过染料和荧光实验验证了基于振荡原理的快速梯度形成芯片,该芯片可以在7 min内形成线性浓度梯度,并通过该芯片和平台验证了线性浓度梯度的双氧水对秀丽隐杆线虫活性的影响。     

微波凝固和药物外用治疗慢性宫颈炎疗效对比分析

采用微波凝同和药物外用两种方法对慢性官颈炎治疗的疗效观察.结果表明:微波治疗组总有效率为100%.Ⅰ°级糜烂一次治愈率98.5%.Ⅱ°级糜烂一次治愈率95.3%,Ⅲ°级糜烂一次治愈率85.6%;药物治疗组(对照组)总有效率为92.6%.Ⅰ°级糜烂一次治愈率52%,Ⅱ°级糜烂一次治愈率33.1%,Ⅲ°级糜烂一次治愈率1.8%.微波治疗组疗效明显优于药物治疗组,是目前治疗慢性宫颈炎较为理想的方法.     

抗癌药物筛选的新方法--紫杉醇药效的压电细胞芯片研究初探

以人肝癌细胞株HepG2为研究对象,以压电细胞芯片技术为研究手段,进行了紫杉醇药效的压电细胞芯片实时检测;同时与传统的MTT比色方法进行对比,得到了较为一致的实验结果,即药物浓度与细胞的生长抑制率呈正相关.与传统方法相比,压电细胞芯片技术更省时,更动态,是一种体外筛选药物的好方法.     

硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质。计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的0.006 nm;通过对(5,0)管的分波态密度进行分析发现,其3s电子和2p电子能量分布在-13～3 eV,但2p电子集中分布在能量较高的-6～3 eV,出现了明显的sp3轨道杂化。同时对(5,0)和(5,5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析,发现两种管导电性能与结构的手性相关,锯齿型(5,0)管能带交叠具有明显的金属性,而扶手型(5,5)管能隙为0.151 eV是半导体纳米管。