BST薄膜高介电调谐率和低介电损耗的设计

钛酸锶钡(BST)薄膜显著的介电非线性效应归因于Ti4+偏离氧八面体中心的位移。从BST薄膜的相变行为出发,讨论影响介电性的3种因素,即组分、电极材料和薄膜厚度,以期保持BST薄膜高介电调谐率的同时,获得低介电损耗,为最大限度地提高BST微波移相器的性能提供可能。     

一种新型电极的设计研究

通过分析已有老式电极存在的问题,提出了一种导体和浮芯缆一体化的电极设计方案。对新、旧电极诸参数分别进行了数值计算,按照新电极接触电阻必须小于老电极接触电阻和浮力平衡的策略,确定了电极的设计参数。然后根据设计参数制作电极模型,进行了缩比试验。经过对试验结果进行分析,新电极在电场强度分布、抗腐蚀性等诸多方面优于老电极。文中方法对电极设计工作具有一定参考价值。     

基于遗传算法的窄带滤光片的优化设计

提出了基于遗传算法的窄带滤光片的优化设计方法 ,建立了遗传算法的理论分析模型。根据开发的程序 ,优化设计出一组 5 0GHz的窄带滤光片 ,通过与针法设计的膜系比较 ,遗传算法得到的膜系具有更低的通带插入损耗、纹波系数和更高的矩形度。     

氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究

采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。     

国外空气洁净技术发展的若干现状

本仅以微电子工业的发展对空气洁净技术提出的要求为中心，介绍了国外在分子态化学污染控制、高洁净度微环境控制、新型洁净产品开发以及大型洁净室运行节能等方面，在近几年中的技术进展。     

用红外检测方法确定半导体器件上的残余膜

大规模集成电路和超大规模集成电路结构的形态一般是用三种显微技术即光学显微术、扫描电子显微术和透射电子显微术测定的。但是,业已证明,有许多种表面异常现象用上述三种显微技术是难以检测的。例如,残余的氧化膜就难以用光学显微技术观察到。     

森林公园景观节能设计与实现

针对当前对公园景观设计过程资源消耗较大问题,提出基于三维图像的森林公园景观节能设计方法。根据森林公园所处位置周边地形,结合金刚石方格算法获取三维地形框架,以公园凹陷为例进行填充,并对其进行递归、细化处理;采用背面剔除技术规划公园中树木、道路等分布,通过得到的递归函数完成景观节能规划设计。实验结果表明,所提设计方法对森林公园景观数据采集准确,明显降低了景观设计过程的能耗,具有较强的实际意义。     

硼系延期药特性及应用

通过研究硼系延期药的反应机理，并对硼系延期药进行差热扫描量热法（DSC）与热重法（TG）分析，得到了合理可行的配方；采用湿法混药的新工艺，对延期体结构进行了优化设计；对延期雷管进行了常温、低温、高温高湿以及自然贮存试验。试验后的测时结果及实际应用效果表明，装有硼系延期药的延期雷管具有延期精度高、用药量少、贮存时间长、耐高低温的优点。     

Development of Dual-light Path Monitoring System of Optical Thin-film Thickness

The accurate monitoring of optical thin-film thickness is a key technique for depositing optical thin-film. For existing coating equipments, which are low precision and automation level on monitoring thin-film thickness, a new photoelectric control and analysis system has been developed. In the new system, main techniques include a photoelectric system with dual-light path, a dual-lock-phase circuit system and a comprehensive digital processing-control-analysis system. The test results of new system show that the static and dynamic stabilities and the control precision of thin-fihn thickness are extremely increased. The standard deviation of thin-film thickness, which indicates the duplication of thin-film thick-ness monitoring, is equal to or less than 0.72%. The display resolution limit on reflectivity is 0.02%. In the system, the linearity of drift is very high, and the static drift ratio approaches zero.     

外部温度对二氧化钒临界相变电场影响的研究

通过无机溶胶-凝胶法和真空退火工艺在Al2O3陶瓷基片上制备出VO2薄膜,通过在薄膜上施加高电压,并结合温度控制系统的方法,研究相变过程中外部温度对二氧化钒临界相变电场的影响。结果表明:当外部温度从63.5℃增加到66℃时,相变需要的临界电场强度从0.17 MV/m下降到0.065 MV/m;随着外加电场强度由0.075 MV/m增加到0.2 MV/m时,相变临界温度从66℃降低到63.5℃,这说明VO2薄膜的相变存在温度与电场互相调控的现象;其相变行为由温度产生的电子热运动能和外场产生的电势能协同控制,但温度与电场的协同效应并非简单的叠加关系,即外界温度越低,温度对相变电场调控的效果越明显,外部电场强度越低,对相变温度的调控越明显;当外加温度为64~68℃,VO2薄膜相变需要的外部电场强度小于0.1 MV/m,满足智能电磁防护材料的要求。这为VO2薄膜应用于智能电磁防护材料提供可能性。