ESD 8VoL系列——为高速应用提供ESD保护二极管

ESD8VoL系列采用超小无铅封装，由单通道和双道双向ESD二极管（ESD=静电释放）构成。该系列专门设计用于保护高速数据接口，例如USB2.010/100以太网。     

BNKLT无铅压电陶瓷梯形中频带通滤波器的研制

利用发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,采用全电极径向振动模式制作了插入损耗小于6 dB,阻带损耗大于30 dB,频率特性曲线平滑,并具有良好选择性的中频(IF=460 kHz)多节带通滤波器。与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性有待进一步改进。     

封装与SMT是平行还是交叉？

目前,封装技术的定位己从连接、组装等一般性生产技术逐步演变为实现高度多样化电子信息设备的一个关键技术。更高密度、更小凸点、无铅工艺等都需要全新的封装技术,以适应消费电子产品市场快速变化的特性需求。而封装技术的推陈出新,也已成为半导体及电子制造技术继续发展的有力推手,并对半导体前道工艺和表面贴装（SMT）技术的改进产生着重大影响。     

锰掺杂对钠过量K0.5Na0.7NbO3无铅陶瓷结构及介电性能影响

采用一种新颖的混合钙钛矿结构法制备了锰掺杂钠过量K_(0.5)Na_(0.7)NbO_3-xMnO_2陶瓷,研究了不同锰掺杂量和烧结温度对该系列陶瓷微观结构、形貌和介电性能的影响。研究表明,锰掺杂改善了该系列陶瓷的烧结特性;陶瓷样品中均形成了正交钙钛矿结构,但同时都存在少量第二相物质;随着烧结温度的升高,陶瓷样品中第二相物质的含量逐渐减少;在不同锰掺杂量陶瓷样品的SEM分析中可以看出,掺少量锰的陶瓷样品出现晶粒异常长大且大小不均匀现象;1100℃烧结的锰掺杂量为摩尔分数1.5%的陶瓷中含有最少的第二相物质和最优的综合介电性能,即具有均匀的晶粒大小、最大的相对介电常数和较小的介电损耗,该陶瓷样品由正交向四方的相转变温度为176℃、居里温度为403℃。     

稀土元素Pr替位改性的高温CaBi_2Nb_2O_9压电陶瓷

采用普通陶瓷工艺制备了由稀土元素Pr替位改性的高温Ca1-xPrxBi2Nb2O9(x=0～0.100)无铅压电陶瓷,研究了Pr含量对CaBi2Nb2O9(CBNO)压电陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:Pr对Ca的替换明显提高了CBNO压电陶瓷的压电性能。其中,Pr含量x为0.050的Ca0.95Pr0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷表现出最好的压电性能,其压电常数d33高达14pC/N,且在800℃以下表现出良好的温度稳定性。     

氮气保护对无铅焊接工艺温度窗口的影响

无铅化电子组装中无铅焊料的高熔点、低润湿性给实际生产带来了很大挑战。为了改善润湿性,可适当提高焊接温度,但由于PCB及元件的工艺温度限制,导致了焊接工艺温度窗口变窄。氮气保护可以改善无铅焊料润湿性、防止氧化、提高焊接品质,更重要的是可以降低焊接峰值温度,扩大焊接工艺温度窗口。     

在铅焊料的标准流程中用无铅元件

随着欧洲的RoHS和WEEE指令已于2006年7月1日开始执行,许多元件供应商面临着使其产品符合无铅环境的挑战。两个指令都要解决将铅从元件中去除的问题。半导体公司必须选择高性价比、与含铅焊料逆向兼容,并与无铅焊料前向兼容的无铅镀层策略。逆向兼容表示无铅元件能够用锡铅（SnPb）焊料回流工艺安放在PCB上。前向兼容表示目前的锡铅工艺能够在面板组装中,与无铅焊料一起使用。     

无铅制造必须上下联动

随着欧盟RoHs指令生效日期的日益临近，无铅制造已经不再仅仅是一个话题，而是不可回避的现实。     

对无铅焊料影响环境的评价

通过分析与计算无铅焊料工艺中能源消耗和再利用过程的能量损失，以及毒性释放程度和节能办法，综合评价无铅焊料对环境的影响。