硫磺回收仪表阀门螺栓断裂原因

某大型石油化工生产企业在常规检查中发现,硫磺回收仪表阀门螺栓断裂。采用宏观观察、化学成分分析、金相检验、硬度测试和断口分析等方法,分析了该螺栓断裂的原因。结果表明：螺栓的固溶处理工艺不恰当,使其晶界两侧形成了贫铬区,造成晶间碳化物的析出,从而发生晶间腐蚀,同时该螺栓中的镍和铬元素含量偏低,使其耐蚀性偏低,且螺栓的服役温度较低,未达到敏化温度,在腐蚀性介质的作用下,螺栓的非敏化型晶间腐蚀加重,最终导致螺栓断裂。     

微量Zn对Al-Cu-Mg合金力学性能及晶间腐蚀的影响

采用扫描电子显微镜（SEM）、电子背散射衍射（EBSD）、电导率测试及常温拉伸实验,结合剥落腐蚀测试、晶间腐蚀测试和电化学测试研究了微量Zn对Al-Cu-Mg合金组织与性能的影响。试验结果表明,微量Zn的添加明显提高了合金T3态（预拉伸+自然时效）的塑性。随着Zn含量的增加,T3态合金点蚀电位提高,S相、阴极相和铝基体之间的电位差减小,点蚀的形成和晶间腐蚀的传播更加困难,合金的晶间腐蚀敏感性降低。     

HSn70-1船用冷凝管腐蚀穿孔失效分析

某船用HSn70-1冷凝管使用过程中出现腐蚀穿孔。通过化学成分、金相组织和能谱分析以及扫描电镜等方法对失效样品进行了分析。结果表明,介质中的Cl~-引起管内壁局部点蚀,加上冲刷腐蚀、脱锌腐蚀、晶间腐蚀的交互作用,引起腐蚀加速,最终导致穿孔。提出了预防或延缓腐蚀穿孔的措施。     

热处理制度对2024铝合金晶间腐蚀和抗拉强度的影响

高强铝合金在腐蚀环境作用下,其耐腐蚀性能会显著下降。以2024铝合金材料为例,经过不同热处理和晶间腐蚀试验之后,对试样进行截面形貌观察和抗拉强度测试。结果表明,合金的耐蚀性和抗拉强度与热处理温度和保温时间成反比,通过T4热处理(493±2℃固溶处理+自然时效)的合金,其各项性能均达到最佳。     

F28不锈钢晶间腐蚀敏感性研究

采用Huey试验法和电化学测试技术研究了新型F28低偏析个锈钢的晶间腐蚀敏感性,结果表明这种钢具有良好的抗晶间腐蚀和选择性腐蚀性能,可以代替316L或2RE69不锈钢在尿案工业中应用.     

固溶处理温度对304奥氏体不锈钢敏化与晶间腐蚀的影响

采用电化学动电位再活化法(EPR)研究了经950℃和1050℃固溶处理304奥氏体不锈钢晶间腐蚀敏化度Ir/Ia、敏化时间t和敏化温度T之间关系,根据腐蚀速率Rmpy与微观腐蚀形貌绘制了304不锈钢敏化的TTS曲线,探讨了固溶处理温度改变对TTS曲线的影响。结果表明,1050℃固溶处理试样的耐晶间腐蚀性能优于950℃固溶处理试样。     

7A09 Al-Zn-Mg-Cu合金在氯化物溶液中的腐蚀和电化学行为

采用扫描电镜、金相显微和电化学测试等综合评价技术研究7A09铝合金在3.5% NaCl(质量分数)水溶液中的腐蚀和电化学行为。结果表明：7A09铝合金不均一的显微组织结构导致该合金遭受严重的点蚀和晶间腐蚀,其中点蚀主要发生于金属间化合物或其周围,而沿晶界分布的阳极贫铜区的优先溶解是引起晶间腐蚀的主要原因。当不同浸泡时间时,在7A09铝合金表面交替进行着不同钝化膜的生成与溶解过程,并伴随着该合金钝化与去钝化行为的发生。同时,对该合金的腐蚀过程及机制进行分析。     

微量稀土对Al-Zn-Mg-Cu-Zr合金力学性能与腐蚀性能的影响

采用慢应变速率拉伸试验、显微硬度和电导率测试、晶间腐蚀和剥落腐蚀试验、光学显微镜、扫描电镜、透射电镜等分析方法,研究微量稀土对7085铝合金（Al-7.5Zn-1.5Mg-1.4Cu-0.15Zr）力学性能和腐蚀性能的影响。研究结果表明,与未添加稀土的合金相比,添加微量稀土使合金组织细化,时效后强度、硬度提高,电导率略有降低。同时,合金的耐腐蚀性大大提高,其中抗晶间腐蚀性能由四级提高为二级、48 h下的剥落腐蚀性能由EB提高为PA、反映应力腐蚀性能的ISSRT值由65%提高到96%。     

EPR法评价HR3C钢焊接接头的晶间腐蚀敏感性

利用电化学动电位再活化法研究了HR3C钢焊接接头的晶间腐蚀敏感性,并通过金相显微镜、X-射线衍射仪、扫描电子显微镜及能谱仪研究了HR3C钢焊接接头的微观组织.结果表明,HR3C钢焊缝金属和焊接热影响区均为奥氏体+析出相组成,焊接接头具有较低的晶间腐蚀倾向.由于焊缝金属中Cr和Nb等元素含量高及晶界和枝晶界铌、铬元素偏析等原因提高了晶界耐腐蚀性,使其具有优异的抗晶间腐蚀性能;而热影响区由于受焊接热循环作用晶界析出M23C6引起晶界贫铬,具有一定的晶间腐蚀敏感性.     

ZG0Cr18Ni12Mo2Ti不锈钢铸件晶间腐蚀裂纹的原因分析

针对ZG0Cr18Ni12Mo2Ti不锈钢材质铸件晶间腐蚀弯曲试验产生裂纹的问题,取样进行了化学成分、显微组织、电镜微观分析,结果表明缺陷是由于存在微观夹杂及晶界贫Cr等原因造成的,针对缺陷原因,对生产工艺提出改进措施。