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131.
采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.  相似文献   
132.
Nonpolar (1120) a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane (1102) sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM) and van der Pauw Hall measurement. It is found that the Hall voltage shows more anisotropy than that of the c-plane samples; furthermore, the mobility changes with the degree of the van der Pauw square diagonal to the c direction, which shows significant electrical anisotropy. Further research indicates that electron mobility is strongly influenced by edge dislocations.  相似文献   
133.
新型半导体纳米材料的主要制备技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
李华乐  成立  王振宇  李加元  贺星  瞿烨 《半导体技术》2006,31(3):217-221,226
简要论述了半导体纳米材料的发展历史及其特点,着重讨论了当前国内外主要的几种半导体纳米材料的制备工艺技术,包括溶胶-凝胶法、微乳液法、模板法、基于MBE和MOCVD的纳米材料制备法、激光烧蚀法和应变自组装法等,并分析了以上几种纳米材料制备技术的优缺点及其应用前景.  相似文献   
134.
By using a low-cost and facile hydrothermal method, a peculiar claw-like ZnO nanorod array is successfully synthesized. The hydrothermal growth is done in an aqueous solution with equimolar zinc acetate (ZAc, Zn(CH_3COO)2·2H20) and hexa methylenetetramine (HMTA, C_6H_12N_4). The obtained ZnO nanorod array is characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The results indicate that the nanorods are high-quality monocrystals. The photoluminescence (PL) spectrum is performed to investigate the optical properties of this product.  相似文献   
135.
CH4、CO2、稀有气体的溶解度模型在地球科学领域应用广泛。它们的溶解度模型在研究流体包裹体的均一化压力、古气温变化、天然气运移与聚集规律、富氦天然气成藏、储层中气—水体积比等方面发挥着重要作用。主要综述了纯水与NaCl水溶液中CH4、CO2、稀有气体溶解度研究的新进展。重点介绍了精度高且适用性广的模型的建立过程及其适用范围,并给出了部分模型的计算结果。包括:①0~250 °C、0.1~200 MPa、0~6.0 mol/kg NaCl溶液中CH4的溶解度模型;②0~450 °C、0.1~150 MPa、0~4.5 mol/kg NaCl溶液中CO2的溶解度模型;③0~80 °C范围内大气稀有气体溶解度与亨利常数的计算模型;④纯水中稀有气体亨利常数计算模型;⑤0.1 MPa、0~65 °C、0~5.8 mol/kg NaCl溶液中稀有气体的溶解度模型。CH4与CO2的溶解度模型复杂,但精度高,适用范围广。稀有气体溶解度模型的精度相对较低,适用范围相对较小,有待进一步提高与改进。CO2—稀有气体—水体系中,低密度的CO2对稀有气体溶解度的影响较小,而高密度的CO2对稀有气体的溶解度有较大的影响。目前还无法判断CH4—CO2—稀有气体共存时对彼此溶解度的影响程度,其混合气的溶解度模型需要加强研究。  相似文献   
136.
对铜在酸性CuCl_2溶液中蚀刻反应机理论述,利用氧化-还原电动势原理,详细论述了Ni80Cr20合金在酸性CuCl_2溶液中化学蚀刻反应机理,以及影响蚀刻速度的因素,并对溶液中金属离子的存在形式作了验证。  相似文献   
137.
通过分析天然气净化装置中水样和固体样品开展模拟实验,研究了醇胺脱硫溶液中铁离子的来源及其影响。研究结果表明,醇胺脱硫溶液中铁离子含量增大,是因为装置中产生了较多的碳酸亚铁、乙酸亚铁等溶解度较高的腐蚀产物;脱硫溶液中铁离子含量增大后,会与硫化氢反应生成硫化亚铁沉淀,硫化亚铁沉淀不断积累,堵塞部分塔盘和富液过滤器,继而导致装置出现拦液问题。  相似文献   
138.
以Mo和Ni为活性组分、γ-Al_2O_3为载体,采用具有不同官能团的有机物制备了MoNiP/Al_2O_3催化剂。通过H_2-TPR、XRD、原位Raman光谱、CO吸附红外光谱、XPS及HRTEM等方法表征了催化剂的组成和结构。以蜡油为原料,在反应压力11.0 MPa、氢油体积比700∶1、反应温度370℃、液态空速1.0 h~(-1)的条件下评价了催化剂的加氢活性。实验结果表明,添加具有不同官能团的有机物,特别是氨类有机物,改善了载体氧化铝表面羟基基团的分布,促使更多的Mo物种以八面体配位多核聚钼酸形态存在,并有效削弱了载体与活性金属之间的强相互作用,提高了Mo物种的分散度与硫化度,使催化剂形成更多的"Mo-Ni-S"加氢活性相,提高了催化剂的加氢活性。添加氨类有机物的催化剂对蜡油具有更高的芳烃饱和活性、加氢脱硫和加氢脱氮活性。  相似文献   
139.
稀磁半导体Cd1—xFexTe的巨法拉第效应   总被引:1,自引:2,他引:1  
王学忠  马可军 《半导体学报》1995,16(11):835-841
在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系。首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量E0和L点的能隙E1随组分x的变化规律和E0的温度关系。讨论了Fe^++离子内部能级间跃迁对实验结果的影响。  相似文献   
140.
采用溶液燃烧法,以硝酸铝为氧化剂,甘露醇为还原剂,添加硼酸为改性剂,制备了硼掺杂的活性氧化铝,开发了硼改性的氧化铝新工艺。通过XRD、XPS、SEM、BET等手段系统研究了该样品的性能及结构。结果显示,制备B/γ-Al_2O_3的最佳工艺条件为:硼酸、甘露醇与硝酸铝的摩尔比为0.02:1:1,pH=4,焙烧温度为950℃、焙烧时间为4h,改性γ-Al_2O_3的相变温度在950~1 000℃之间。采用溶液燃烧合成法所制得的B-Al_2O_3粉体,具有热稳定性高、粒径较小且粒径分布较为均匀等优点。  相似文献   
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