集成电路生产中成品率的有效管理

本文分析了在集成电路制造过程中,使用的基础材料、设备、工艺技术所产生的污染粒子,随机缺陷对IC产品成品率的影响。并主要介绍了从经典学习曲线概念中推导出来的成品率提高模型已被用于追踪产品成品率的提高,该模型建立在能优先迅速解决影响成品率诸多问题的基础上。实际成品率与模型化成品率的比较充分证明了成品率提高模型的实际意义。     

光电材料的俄歇电子谱分析

俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布,所以它在各种材料,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。文章详细地介绍了PHI595型多探针俄歇电子能谱仪及其在光电子材料分析中的应用。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

保利协鑫获批发布SEMI光伏材料国际标准

正新年伊始,从SEMI美国全球总部传来喜讯:由保利协鑫主导编制的SEMI PV50-0114《多晶硅用高纯聚乙烯包装材料规范》于2014年春节期间正式发布。这是中国光伏企业推进国际光伏材料行业标准获得的首项突破。随着光伏产业的快速发展,对多晶硅的品质也提出了更高的要求,不但要控制硅料体金属杂质,而且对表金属杂质也有严格的控制指标,因此,对于包装材料污染的问题受到业内高度重视。保利协     

D.S.D酸中色素杂质含量的测定方法

通过研究提供了采用在一定条件下的Ｄ．Ｓ．Ｄ酸钠盐水溶液的吸光度来表示工业品膏状Ｄ．Ｓ．Ｄ酸中色素杂质含量的方法。该法具有简单易行，准确可靠的优点，在生产实践应用过程中取得了一定效果     

表面特性对PBGA软金丝键合点可焊性的影响

一级封装中最流行的互连技术仍为丝焊。引线键合的效率主要依赖于受表面特性影响的键合点的可焊性。在最近的研究中,我们调查了表面特性对金-金超声压焊系统的影响。表面特性包括金层厚度,表面硬度和粗糙度、有机物杂质及金属杂质。对两个样本间的不同特性进行比较。确定金表面特性的粗糙度依赖于镍层的外形结构。焊料掩膜逸出气体对可焊性具有负面影响,等离子清洗能够有效地去除有机物杂质。金层中的杂质将导致不良的可焊性。     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.     

GaAs半导体对1.06m激光的吸收响应

人射光脉冲波长为1064nm时，GaAs光导开关上的直流电场强度为10~3V/Cm。讨一论了恒定光强和高斯光强时，GaAs杂质吸收载流子浓度随时问变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较，二者吻合很好。     

废水溶液化学组分对O3/H2O2氧化TNT功效的影响

为评价TNT废水中不同化学组分对O3／H2O2降解功效的影响,选择HCO^-3、NO^-3、SO^-4、HCOO^-、Cu^2 及AJ^3 等进行了实验研究。以TNT去除率为评价指标,结果表明,溶液中HCO^-3、HCOO^-及Cu^-2 对O3／H2O2去除TNT功效具有抑制作用,其抑制能力的大小为Cu^2 ＞HCOO＞HCO^-3;Al^3 具有促进作用;NO^-3、SO^-4对O3／H2O2去除TNT功效几乎没有任何影响。     

对发烟剂烟幕组分的定量分析

建立了发烟剂烟幕组分的采样方法和条件,采用直接刮样溴化钾压片制样技术,应用FTIR光谱仪和Quant Basic定量软件,对有机酸类发烟剂燃烧产物中的主要组分进行了定量分析,实现了烟幕组分的快速测定,并对烟幕中的己二酸组分进行了定量测定,测定结果符合微量分析的误差要求.