复合材料空心飞轮多环套装整体变形及应力简化精细分析

采用多环过盈装配是解决复合材料飞轮径向强度过低的有效途径之一。本文作者采用平面应力简化模型,提出了计及过盈配合后变形导致实际过盈量增大计算飞轮套装后的初终应力分布的方法;提出了基于叠加原理计算多环过盈装配旋转飞轮应力的方法;提出了保证飞轮旋转时配合界面不脱离的相关临界转速的概念和计算方法。算例分析表明:过盈配合后的变形对初终应力的影响不能忽略;过盈量和套装环数与飞轮的初终应力和相关临界转速有密切的关系。     

复合材料手动扫描超声特征成像检测

研究了复合材料手动扫描超声特征成像检测，通过对超声检测信号的全波列采集与处理，实现了A，B，C扫描成像；相位特征成像；当量特征成像；超声层析技术和超声频谱分析技术。该系统已经在复合材料的检测上得到了良好的应用。     

超声波清洗在贵/廉金属复合材料生产过程的应用研究

本文结合“ODS清洗剂消费淘汰项目”的实施，并对新型超声波清洗机及新型ODS清洗液进行了工艺试验，阐述了超声波清洗技术是贵／廉金属复合材料生产过程中无可替代的清洗技术。     

晶须取向对SiCw/6061Al复合材料热压缩变形行为的影响

采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象.     

金属基复合材料国家重点实验室

于1987年经国家计划委员会批准筹建,1991年底建成并通过验收,1992年正式对外开放,1997年6月和2003年分别通过了由国家计委、科委和自然科学基金委组织的评估。实验室第三届学术委员会由材料界著名专家学者17人组成,其中科学院院士6人,主任为周尧和院士。张荻教授现任金属基复合材料国家重点实验室主任。实验室以国家高科技、国防建设的需求及学科前沿发展为引导,开展多结构、多功能复合材料的应用基础研究,为满足高科技、国防建设的发展对高性能化、高功能化、高可靠性、低成本的先进复合材料的迫切需求,研制小批量、多品种的军用和民用关键…     

CNTs/Polyester复合材料的微波吸收特性研究

研究了添加不同质量分数CNTs的聚酯基复合材料的电磁波吸收性能,初步分析了CNTs的螺旋结构和手征性质导致8～40GHz波段良好的吸收。其中厚度为1.40mm±0.05mm的CNTs/Polyester复合材料在25GHz有较强的吸收峰。     

Epson的业内首款柔性TFT SRAM存储器

SeikoEpson公司（“Epson”）日前宣布开发出业内首款柔性TFT—SRAM（16 kbits）。公司期望TFT—SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。     

聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学

采用差示扫描量热法（DSC）对聚甲亚胺（PAM）/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明，PAM的加入使得基体的结晶速率增大，尤其是当含量为5%时，半结晶期明显减少。研究还发现，该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述，各试样的Avrami指数均在2-3之间，表明Avrami指数，球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用，使得基体的结晶速率加快，但随着微纤含量的增加，由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱，表现为结晶速率又有所降低。     

企业转型应倡导并实施"柔性管理"

当前．中国电信正加快从传统基础电信运营商向现代综合信息服务提供商转型。转型．是一个企业勇于变革、超越自我的非凡之举。中国电信企业转型包括业务与服务转型、网络与技术转型、组织与人力资源转型．这些都将伴随着一系列激烈的变革和创新。惟有变革．才有创新．才有进取．企业才有蓬勃的生机和旺盛的生命力。     

聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合材料的研究

氧化石墨具有良好的层状结构，其层间具有丰富的官能团，能与有机聚合物形成插层纳米复合材料进而改善材料的性能．采用层离吸收-原位聚合法制备了聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合材料，并采用XRD、HREM及DSC等对其结构和性能进行了表征。结果表明，聚丙烯酰胺与氧化石墨两者之间存在着较强的相互作用，材料的玻璃化转变温度得到提高，层离吸收-原位聚合法是获得聚丙烯酰胺／氧化石墨层纳米复合材料的有效途径，聚丙烯酰胺在氧化石墨中存在着多种排列方式，不同层间距(1．6nm和2．8nm)的聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合结构同时存在。