贵金属催化的手性胺合成研究进展

介绍了铑、钌、铱和钯等贵金属催化剂用于烯胺和亚胺不对称催化氢化反应的最新研究进展,并对这些反应的特点及适用范围进行总结.贵金属配合物催化不对称氢化烯胺和亚胺是合成手性胺类化合物最有效的方法之一.认为目前该类催化剂在这一领域已经取得巨大的进步,但仍然具有挑战性,存在较多的问题有待改善和解决.设计和开发更加简单和高效的新型...     

天然橡胶-氢化丁腈橡胶的共硫化及性能研究

天然橡胶(NR)和氢化丁腈橡胶(HNBR)因不饱和度和极性的差异,存在硫化速度不匹配、填料分散等问题,难以实现两胶的并用。本文通过先制备不同硫黄/促进剂比例的NR和HNBR母炼胶,再将母炼胶并用制备NR/HNBR复合材料,解决了NR和HNBR共硫化的问题。研究了NR/HNBR的相态结构和填料在NR和HNBR两相的分散状态,结合相态结构和填料分散分析了NR/HNBR并用比对复合材料硫化特性、动静态力学性能、耐磨性和压缩温升的影响。结果表明:并用HNBR的复合材料混炼胶的门尼黏度增大,焦烧时间和正硫化时间缩短;随着HNBR含量增加,HNBR相的尺寸增大,硫化胶的硬度及100%和300%定伸应力增加,拉伸强度、撕裂强度、断裂伸长率和拉断永久变形减小,耐磨性和抗湿滑性提高,压缩疲劳温升增大。     

维生素E用钯/炭催化剂的氢化

介绍用钯/炭催化剂催化氢化维生素E(VE)的方法,在反应温度100℃,反应压力0.8MPa,催化剂用量0.0025%(Pd/VE),反应2.5h的条件下,可获得碘值低于41g/100g的氢化维生素E。      

大自然的缪斯

意义：当前催化水分子分解、释放氢气的反应,需要贵重金属,如铂（白金）作为催化剂。一种常见的微生物通过一种叫做氢化酶（hydrogenase）的天然蛋白质,将能量储存于氢气的化学键中,但天然的氢化酶无法长期存在。     

液相法合成氢化铝钠的研究

以NaH和AlCl3为主要原料,通过改变实验条件,探索研究液相法合成NaAlH4的合成条件。实验表明,在不加入任何催化剂的情况下无法实现NaAlH4的合成,在以NaAlH4、三乙基铝等物质为催化剂的条件下,虽有少量的产物生成,但是反应不明显,且产物中存在大量的非晶态物质。即便在高温高压下反应亦难以进行,大量的化合物均以非晶态形式存在。     

三氢化铝合成及应用评价技术进展

三氢化铝(AlH_3)含氢量高、燃烧产物分子量小、热分解温度相对较高,部分取代铝粉可显著提高固体推进剂能量水平,是一种理想的高能燃料。然而,AlH_3产品的品质直接关系到固体推进剂的性能、合成方法的选择和优化关系产品批量提供能力,AlH_3易分解,从而影响推进剂的老化与储存,AlH_3与固体推进剂其它组分的相容性也会对配方的安全性有所影响,以上问题都是AlH_3工程应用于固体推进剂急待解决的关键技术。本文对国内外AlH_3合成制备、热分解及稳定性、推进剂中的应用评价等方面的研究进展进行了总结,并对未来重点研究方向给出了展望。相关研究表明,以乙醚法合成作为主要制备途径可解决工程化放大的安全和质量控制问题,采用AlH_3的表面处理或包覆等技术途径,能大幅提高AlH_3在高能固体推进剂的实用化水平。     

油脂选择性氢化催化剂的研制及氢化工艺条件的研究

通过对镍为主的催化剂配方的研究，获得了一个选择性和活性较优的氢化催化剂。用制得的催化剂对氢化工艺条件进行研究，建立了选择性指数（ＳＩ）与氢化温度（Ｔ）、氢气压力（Ｐ）及催化剂浓度（Ｃ）之间关系的经验方程。结果表明，通过配方提高镍基催化剂的选择性必须以牺牲活性为代价，而调节氢化工艺条件可改善催化剂的活性和选择性。     

表面氢化对SiC/金属接触的作用机理

提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0～ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5～ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5～ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。     

弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si:H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si:H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si:H材料的有效途径.     

氢诱导二维硫族化合物PtX2的电磁特性研究

为了充分研究二维重过渡金属硫族化合物材料在磁性器件中的潜在应用,基于自旋极化密度泛函理论,文中研究了氢化单层PtX₂(X=S,Se,Te)的稳定性和电磁特性。研究结果表明,单层PtX₂在氢化后具有较高的稳定性,且稳定性随硫族原子序数的增加而下降;氢化使单层PtX₂出现了磁矩,使其从半导体变为铁磁性的金属,该磁矩主要来自于窄反键子能带自旋极化下的Pt 5d电子。此外,单层PtX₂的铁磁性也随着硫族原子序数的增加而出现了下降的趋势。因此,文中的研究成果为设计二维重过渡金属硫族化合物材料的铁磁性提供了参考。