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101.
反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料,利用千瓦级CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,制备AgSnO2电接触材料;用反应合成法制备的AgSnO2材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成;用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了银和SnO2的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。  相似文献   
102.
张勇 《功能材料》1998,29(4):375-377
有用PEVCD法制备了非晶掺Sn有机膜,经过退火处理得到SnOx气敏膜,考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系,研究了表面掺Ag对SnOx元件电阻、  相似文献   
103.
超细氧化铟-氧化锡 (ITO) 复合粉末的研制与结构特性   总被引:31,自引:0,他引:31  
采用受控共沉淀法制备了超细In2O3SnO2(ITO)复合粉末,研究了制备ITO复合粉末的新工艺和产品的结构特性。这是一个设备与流程简单、产品粒度细(平均粒径001μm)、纯度高(99993%)、性能好的粉体制备方法。  相似文献   
104.
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。  相似文献   
105.
磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响,指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射,过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。  相似文献   
106.
107.
对多元银氧化锡触头材料的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
108.
液相沉淀法制备SnO2超微粒子粉末   总被引:3,自引:0,他引:3  
  相似文献   
109.
110.
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