流动注射在线萃取-汞蒸气还原原子荧光光谱法测定土壤中痕量汞

提出了流动注射在线萃取非水介质汞蒸气还原 -原子荧光光谱法测定土壤样品中痕量汞的新方法。将汞萃取到[KI +HNO3+ (NH2 ) 2 CS] /TBP有机相中 ,NaBH4 溶于N ,N 二甲基甲酰胺 (DMF)中 ,将非水介质中汞还原产生的汞蒸气导入石英炉中 ,进行原子荧光测定。方法的检出限 (K =3 )为 0 .0 5ng/mL ,RSD为 5. 2 %。应用本法测定土壤标准样品中痕量汞 ,结果令人满意     

高灵敏光度法测定粉煤灰中痕量汞

研究了在 pH 10 5氢氧化铵 -氯化铵缓冲溶液中痕量汞 与三氮烯类试剂 6 硝基苯并噻唑重氮氨基 4 硝基苯(NBTDNB)的显色反应 ,基于此 ,建立了一种测定痕量汞 的高灵敏新光度法。在弱碱介质中 ,汞 与该试剂形成 1∶2的黄色络合物 ,用双波长法测定 ,表观摩尔吸光系数为 2.2 0× 10 5,汞 量在 0.0～ 13.0 μg/2 5mL范围内符合比尔定律 ,方法的检出限为 2 .8× 10 - 9g/L ,相对标准偏差为 2 . 1%～ 3. 2 %。本法应用于粉煤灰中痕     

冲击压实法加固湿陷性黄土路基的应用研究

 主要介绍了加固湿陷性黄土路基的一项新技术——冲击压实法。通过常规土工试验及显微结构试验：扫描电镜、压汞分析,并从宏观至微观,定性定量分析了加固效果,同时探讨了冲击压实法的加固机理,并提出合理的施工工艺参数,为进一步在黄土地区推广该项新技术提供了理论依据和实践经验。     

碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay, μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity, MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行了研究。结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势。通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性。对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近。     

汞的危害及利用冷原子吸收法测定粮食中汞的残留量应注意的几个问题

汞是一种对人体有害的物质。汞和大多数汞化合物极易挥发,并且易被容器内壁吸附。因此,在测定中要特别小心谨慎,注意避免各种因素的影响,保证测定结果的准确性。     

垃圾渗滤液中As和Hg的非色散原子荧光光谱法测定

建立了垃圾渗滤液中As和Hg的流动注射蒸气体发生-非色散原子荧光光谱法的测定方法。采用硝酸-过氧化氢体系、在低温下消化处理样品;硫脲-抗坏血酸将As(V）还原后测定样品中的总As;Hg的测定用Hg蒸气发生原子荧光光谱法。在优化实验条件下测得As和Hg的检出限分别为0.08和0.07ngml^-1,十次测定的差异系数分别为0.48%和0.85%（相对于8.0ngml^-2As和1.0ngml^-1Hg标准溶液）。蒸气发生的最佳条件为：KBH40.5%(KOH0.5%）,流速10.0mlmin^-1;测定As和Hg的样品酸度为10%HC1,流速4.2mlmin^-1。对基体NaC1,MgC12,Cac12,Na2SO4,NaF以及微量共存金属离子（Cd,Se,Zn,Pb,Cu,Fe,Mn,A1）的干扰实现结果表明,共存基体和微量共存金属离子对As和Hg的测定没有干扰。用标准校正曲线和标准加入法对样品测定结果进行了比较,结果吻合较好。该方法已应用于城市垃圾渗滤液As和Hg的测定以及城市污水处理工艺过程中As和Hg的监控。     

胶束增溶分光光度法测定水溶液中的汞

研究了Hg(Ⅱ)-双硫腙(H2Dz)-十二烷基磺酸钠三元络合物显色体系,该体系的最大优点是可在水相中直接用光度法测定水样品中的汞含量.络合物的最大吸收波长490 nm,ε490=7.0×104L(mol·cm)-1,汞浓度在0.5～2.3 μg·mL-1范围内符合比尔定律.对样品进行回收实验,得到了很好的效果.     

高温处理—电感耦合等离子体发射光谱法测定铬矿中汞含量

该文研究铬矿中汞含量的检测,通过采用高温处理将铬矿中汞元素挥发出来,与大量金属元素分离,以氧气为载流,经过王水（1+1）和芬顿试剂的二级吸收,吸收液直接经过电感耦合等离子发射光谱仪测定。通过正交分析法确定了最佳实验条件。方法通过标准物质进行验证,测定值符合证书参数,方法加标回收率为96%～117%,样品进行多次检测,相对标准偏差为4.3%,方法用于铬矿中汞含量的测定,精密度高、准确性好,满足铬矿中汞含量的检测要求。     

短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究

报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内.在此基础上进一步优化了芯片制备工艺,尤其是在减小像元中心距方面作了优化.基于上述多项材料及器件工艺制备出了320×256短/中波双色碲...     

碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究

大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料（111）晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在（111）B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在 (111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。