掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律席珍强

采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律. 红外扫描仪观察发现：只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团，表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃. 同时，红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示，快冷（30K/s）时，形成高密度的小铜沉淀团；而慢冷（0.3K/s）导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度. 最后，讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理.     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

TPA-PPV纳米粒子的制备和尺度效应

TPA—PPV是一种优秀的电致发光材料，具有很高的荧光量子产率。介绍了用再沉淀的方法制备粒子尺寸为20～100nm的TPA—PPV纳米粒子。研究发现，当纳米粒子的尺寸从100nm逐渐减小到20nm时，紫外一可见吸收光谱在400nm附近的吸收和荧光发射光谱在500nm附近的发光都向高能端移动，其光谱发生了蓝移。讨论了其光谱尺度效应的机理。研究结果表明其在新型纳米光电子器件中有着广阔的应用前景。     

从一次麸曲白酒出现沉淀分析原因

对本厂麸曲白酒中出现大量白色絮状沉淀进行了分析研究,认为产生的原因:①包装玻瓶质量差,玻瓶内的硅酸盐和酒中的有机酸起反应,析出白色沉淀二氧化硅;②洗瓶后残存在玻璃瓶内的硬水溶入酒中,被产生的二氧化硅所吸附。     

解决醇溶性物质引起配制酒沉淀的方法

对醇溶性物质引起配制酒沉淀、浑浊的原因进行了阐释，采用降度、吸附和冷冻过滤相结合的技术路线，解决了浑浊、沉淀。     

失效双氧水催化剂中钯的浸出-沉淀富集效率研究

研究了从失效双氧水催化剂中富集钯的工艺,采用“焙烧浸出-硫化沉钯”的工艺实现了钯的高效富集。重点考察在浸出中硫酸浓度、浸出温度、浸出时间、盐酸浓度、NaClO3用量对富集倍数的影响。研究了富集钯的最佳工艺条件,结果表明,钯平均富集12.09倍,钯的平均回收率为99.55%。     

胞状沉淀组织的SEM和TEM分析

利用气体辉光放电原理，在低碳钢表面渗入Ｗ、Ｍｏ元素，使其表面形成基体为α相的Ｗ、Ｍｏ共渗层［１］。胞状沉淀组织是Ｗ、Ｍｏ共渗后连续冷却时的析出物。利用扫描电镜和透射电镜的观察和分析，本文对渗Ｗ、Ｍｏ层中胞状沉淀组织的析出形态、沉淀相结构、化学成分及胞...     

多步热处理对未掺杂LEC SI-GaAs特性的影响

对未掺杂ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及Ａｓ沉淀的影响。     

单液法无机沉淀调剖体系的研制和性能评价

无机沉淀型调剖体系具有良好的溶解性和耐温耐盐性能,但存在反应物接触即沉淀的问题,施工方式多为双液法。为改善这一问题,以阻垢剂为缓沉剂,将其加入含碳酸钠和钙镁离子的水中制得可单液法注入的无机沉淀调剖体系。研究了缓沉剂浓度、水矿化度和钙镁离子浓度、温度对该调剖体系生成沉淀起始稀释倍数和稀释后沉淀量的影响,通过填砂管驱替实验考察了该调剖体系的注入性和封堵性。结果表明,缓沉剂的引入可以暂时抑制沉淀的产生以保证无机沉淀调剖体系能以单液法注入;当稀释至生成沉淀起始稀释倍数后缓沉剂将失去对沉淀的抑制作用,调剖体系重新产生沉淀以起到封堵作用。缓沉剂浓度越高,生成沉淀起始稀释倍数越大。增加水中钙镁离子浓度会降低生成沉淀起始稀释倍数,但可提高调剖体系的沉淀量。高温、高盐条件会降低生成沉淀起始稀释倍数,但沉淀量略有升高。组成为10%碳酸钠和2%缓沉剂聚天冬氨酸钠的调剖体系的注入性良好,对填砂管的封堵率约为70%。该无机沉淀调剖体系可用淡水、地层水、海水配注,适用于干旱缺水、海上平台等缺少淡水资源的特殊环境。图7表3参15