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201.
202.
分别采用化学气相沉积(CVD)硅烷和高温接触式扩散(HTCD)的方法在U-7Mo(w/w)合金颗粒上涂敷了硅材。分别用氢化-破碎-退火脱氢和原子离心破碎两种方法制得涂敷颗粒,对两种颗粒的涂层进行了比较。详细描述了用两种方法涂敷后的颗粒制成的微型板材。第三种微型板是直接使用硅粉与U-7Mo合金粉和铝粉混合以此来取代铝合金粉。本文中还提及了用热轧方法制得的用Zr-4作涂层的微型单片U-7Mo合金板。这种方法的不同之处在于制板工艺过程详尽且具有一定的通用性,在对目前常用的燃料装置和焊接设备进行少量改进的前提下,就可能较容易将高通量反应堆使用的高富集度燃料转变为使用低富集度燃料。 相似文献
203.
针对压缩机环状阀结构和运动特点,利用ANSYS分析软件对其冲击应力进行有限元分析,得出阀片质量和阀片倾侧运动对环状阀工作过程冲击应力的影响。为压缩机环状阀的结构修改和优化设计提供了必要的基础。 相似文献
204.
为了保持半导体工业25%~30%的年增长率,必须大大提高设备效率。一种新的被称为OEE(设备综合效率)的评估方式,为芯片制造者和设备供应者提供了进一步理解和改进生产率的极好方法。 相似文献
205.
<正> 混流式水轮机转轮(图1),标准直径小于4200mm的,我国一般采用整体铸造法制造;直径大的,一般采用分开铸造后焊接或把合成整体的方法制造. 相似文献
206.
207.
《单片机与嵌入式系统应用》2006,(1):63-63
2005年11月22日,ARM公司宣布上海交大汉芯科技有限公司获得ARM922T处理器的授权,此公司是从上海交通大学集成电路和系统研究中心实验室独立出来的一家公司。通过ARM的代工厂计划(ARM Foundry Program),这个授权协议将使上海交大汉芯科技能够开发基于ARM技术的片上系统解决方案,以满足中国移动电话和消费娱乐电子产品市场对于低功耗高性能的不断增长的要求。 相似文献
208.
电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响 总被引:5,自引:4,他引:1
发现并研究了电极半径r与瓷体半径R之比r/R对ZnO压敏电阻片耐受2ms方波电流冲击能力的作用规律.利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络,实验模拟了r/R对电极边缘电流密度分布的作用规律,研究结果表明增大r/R能使电流密度均匀化,因而能增强ZnO压敏电阻片的通流能力。 相似文献
209.
对计划用于冲击片雷管的快速高电流开关进行与时间有关的电阻测量。这种开关由铜-聚合物-铜叠层片构成,设计用于在受到爆炸驱动的铜飞片撞击后传导电。我们实验中使用的聚合物膜是Kapton(聚苯均四甲酰亚胺),预计这种膜在9GPa和9GPa以上的压力下具有冲击感应传导性。当这种开关中获得9GPa左右的冲击压力时,没有发现有明显的冲击传导作用。通过观察Teflon(聚四氟乙烯)膜开关同样的电性能进一步证实了 相似文献
210.