拓纳化学益生菌整理剂投放市场

床垫、地毯、过滤器等很多织物在使用的过程中会聚集很多灰尘和污物,为有害病原细菌和过敏原的生长创造一个理想的温床。尽管抗菌产品可以杀死细菌,但是长期使用,细菌也会产生抗体,结果反而滋生了其繁殖生长。     

碳纳米管生长控制理论得到证实

据报道,美国莱斯大学Yakobson教授在2009年提出了利用手性控制生长位错理论,描述了碳纳米管是如何由单原子线织成螺旋形状碳纳米管的。近期俄亥俄州空军研究实验室的实验已证实了该生长理论,纳米管的手性控制其生长速度,扶手椅型碳纳米管生长速度最快。     

采用煤矸石为原料合成β-SiAlON晶须及其显微结构研究

以煤矸石和碳黑为主要原料,在1800 K下碳热还原氮化合成了纯度较高、含有大量晶须的β-SiAlON材料.FESEM照片表明β-SiAlON晶须多为细长柱状,直径120～220 nm,长度1.5～5 μm,晶须生长机制由VLS(vapor-liquid-solid)机制和VS(vapor-solid)机制组成.     

一种基于模拟植物生长算法的输电网故障诊断方法

将模拟植物生长算法应用于输电网故障诊断,提出了将开关及设备电流转化成整形变量的方法,建立输电网故障诊断模型.仿真实验验证了模型的正确性、有效性及高容错性.     

基于改进模拟植物生长算法的输电网络扩展规划

输电网络规划是一个复杂的组合优化问题,若以选择线路回数为变量抽象出模型,则输电网扩展问题可以归结为一类整数规划问题.对模拟植物生长算法进行改进,形成了适于解整数规划问题的改进模拟植物生长算法,并将此算法应用到电力系统输电网络扩展规划中.为了加快算法收敛,采用了Kruskal算法来获取初始点,提出了一种快速判别网络连通的算法.最后,实例计算结果表明了该方法的可行性.     

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.     

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管,Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明,ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料,其反向电压为－５Ｖ时,反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．     

ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中,观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱,得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下,自由激子更容易由于相互作用而形成双激子,在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．     

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长,用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射１．３μｍＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料,为器件制作研究打下了基础．