全文获取类型
收费全文 | 46篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 6篇 |
化学工业 | 10篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 3篇 |
无线电 | 13篇 |
一般工业技术 | 22篇 |
原子能技术 | 1篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2019年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
排序方式: 共有61条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
42.
采用TEM技术对Al2O3基陶瓷复合材料中LiTaO3颗粒内的电畴结构进行了研究。结果表明:LiTaO3单晶中不可能形成的90°畴出现在LiTaO3/Al2O3(简称LTA)陶瓷复合材料中的LiTaO3晶粒内,且以其为主,这对于六方结构的LiaO3来说,是一个新的发现。采用不同烧结方法制备的LTA陶瓷复合材料中LiTaO3晶粒内的电畴结构有很大差别。1500℃热压烧结,LTA陶瓷复合材料中LiTaO3晶粒内的电畴结构主要为高密度的薄片状90°畴以及箭尾型90°畴;200 MPa冷等静压成型后经1300℃无压烧结,LTA中LiTaO3晶粒内除了薄片状与箭尾型的90°畴结构外,还形成了尖劈状与板条状的90°畴结构;1 300℃热压烧结,LTA中LiTaO3晶粒内的电畴结构大多为板条状的90°畴,另外还有少量尖劈状的90°畴。LiTaO3晶粒内部电畴结构的不同与LiTaO3晶粒受周围Al2O3基体晶粒的应力作用、LiTaO3的化学组成配比以及薄膜试样制备过程中的机械研磨抛光有关。 相似文献
43.
44.
BiFeO_3改性Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3基陶瓷电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用固相反应法制备了新型(0.95–x)Bi1/2Na1/2TiO3-0.05BaTiO3-xBiFeO3(x=0~0.09)系无铅压电陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对其晶体结构、介电及压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷均能形成纯钙钛矿型固溶体。介温曲线(10kHz)显示该陶瓷体系具有明显的弥散相变特征。该陶瓷体系的压电性能较Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3陶瓷(d33=125pC/N)有较大提高,当x=0.05时,具有最佳的压电性能:d33=142pC/N,kp=0.29;此时εr=891,tanδ=0.046,Qm=110。 相似文献
45.
46.
采用传统陶瓷制备工艺制备了[Bi0.5(Na0.82-xK0.18Lix)0.5]TiO3(x=0.01~0.07)无铅压电陶瓷.研究了该体系陶瓷的微结构以及应力对平面机电耦合系数kp和压电常数d33的影响.结果表明,[Bi0.5(Na0.82-xK0.18Lix)0.5]TiO3无铅压电陶瓷具有单一钙钛矿结构,Li+有抑制晶粒长大的作用.当x=0.03时,压电陶瓷样品表现出优良的压电性能:压电常数d33和平面机电耦合系数kp分别为154 pC/N和0.296.同时发现,退火可消除内应力,有利于提高d33,但会使kp减小;极化会引起介电常数εr减小,电畴转向过程中产生的应力对d33影响较为明显 相似文献
47.
通过TEM技术研究了Al2O3/LiTaO3陶瓷复合材料中LiTaO3颗粒内的电畴结构,并将LiTaO3单晶、LiTaO3作为基体和LiTaO3作为第二相时其晶粒内的电畴结构进行比较。观察表明:纯LiTaO3陶瓷内的电畴结构基本上为曲流状180°电畴,也有非常少量的非180°电畴;15ALT陶瓷复合材料可看出LiTaO3晶粒内非180°电畴明显增多,且板条状与尖劈状两种状态都存在,但其中曲流状180°电畴明显可见;30ALT陶瓷复合材料中,只有少量的曲流状180°电畴,其中非180°电畴是这几个组分中数量最多、分布最密集的。LiTaO3晶粒内部电畴的形成与周围颗粒对其约束产生的应力有关。 相似文献
48.
研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。 相似文献
49.
50.
压电陶瓷高温极化机理研究 总被引:5,自引:3,他引:2
介绍了压电陶瓷高温极化机理,通过电畴的形成及顺电铁电相变机理对其进行了解释。 相似文献