新型热红外伪装体系

针对热红外成像侦察技术对军事目标形成的严重威胁,介绍了三种新机理型热红外伪装体系:1)三色涂料体系,三色涂料以一定形式叠加在军事目标上,利用涂层和孔洞的明暗组合实现目标与背景在红外及可见光区的融合.2)相变材料体系,将相变材料以微胶囊的形式分散在基体中,利用其发生相变时伴随的吸热效应,对目标产生的热量和目标温度加以控制.3)簇饰物伪装体系,选用低发射率的聚合物薄层材料做成叶簇状饰物附在常规伪装网上,在移动目标的周围产生空气流,从而达到散热和抑制目标红外辐射的目的.     

轴端沟槽底部激光强化工艺参数优化研究

分析了选用不同激光能量密度对HT300进行表面强化处理时，材料表面呈现的四种状况；未相变硬化、相变硬化、表面微熔与表面熔凝的金相组织。根据工艺要求，选取相变硬化方法对轴端沟槽底表面进行处理。分析了工件激光处理方法并通过试验研究，寻找轴端沟槽底部激光强化工艺参数；激光功率（P）、光斑直径（D）及扫描速度（V）的优化组合。硬度测试及耐磨性能试验表明：激光相变处理和激光熔凝处理后轴端沟槽底部表面较表面感应淬火硬度分别提高7%和34%，绝对磨损体积分别下降了13%和25%。实践证实，对轴端沟槽底部激光相变硬化处理方法较其他表面处理方法工艺简单，加工工件符合技术要求，试验结果对零件表面处理提供了可靠依据。     

用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.     

二氧化钒薄膜的退火组分变化及光学特性研究

为得到高纯度的VO2薄膜,对其制备参数进行了探索。VO2薄膜用磁控溅射法制备。对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到3,4,5价钒在薄膜中所占的比例。为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响。结果表明,VO2薄膜对10.6μm激光的透过率从60℃时的74%变到78℃时的11.93%,发生了相变。     

含1，3，2—二氧硼杂环的二苯乙炔类液晶的合成与相变研究

设计并合成了一类新型的含1,3,2－二氧硼杂环的二苯乙炔类液晶,其相变行为通过DCS及偏光显微镜进行了观察和测试,整个系列化合物仅呈现一个向列相,在所合成的化合物中,随着碳链的增长,相奕温度变化不大。     

一种1kb相变存储芯片的设计

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能.测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达...     

用高压拉曼光谱方法研究β-胡萝卜素相变

为了探究β-胡萝卜素在高压下是否会发生相变,进行了0～30 Gpa压强范围内β-胡萝卜素的高压拉曼光谱实验。通过评估不同压强范围内拉曼光谱频移-压强的线性函数变化来判断β-胡萝卜素是否发生相变。研究表明,当压强升至约为7 Gpa以及14 Gpa时,β-胡萝卜素分子的频移-压强线性函数方程发生了变化,即发生了相变。通过分析频移-压强函数线性关系是否发生变化来判断相变,是简捷、方便的技术方法。关于纯β-胡萝卜素压力相变的研究,暂未检索到相关报道。     

未端氰基取代含氟二苯乙炔类液晶的合成与相变研究

设计并合成了一类新型末端氰基取代含氟二苯乙炔类液晶。通过偏光显微镜和DSC对其相仿进行了研究。此类化合物仅呈现一个向列相。讨论了积极效应和极性因素对液晶稳定性及相奕温度范围的影响。     

新型含氟偶氮苯类液晶的合成和相变研究

设计并合成了一类新型的4′-（4″－n－烷氧基亚苯基乙炔基）4－n-乙氧基偶氮苯及其两个系列的氟代化合物,它们的相变行为通过差示扫描量热法和偏光显微镜进行了测试及观察,发现它们均是液晶化合物,都呈现向列相和近晶相,并且发现该类化合物的相变行为与氟原取代的数目与位置有着密切的关系。相比较不含氟的同类化合物,氟原子的引入降低了化合物的熔点和清亮点,如果两个氟原子对称分布在液晶分子长轴向的两侧有利于向列相的稳定性,相反分布于分子长轴一侧的两个氟原子有利于近晶相的稳定性／。     

激光相变硬化处理的模拟

研究用矩形匀强激光光斑相变硬化处理金属材料的移动热源、机理与模拟计算等问题,建立了表面以下各部分材料的最高温度与距表面深度的关系曲线簇。从而可按要求的淬火(硬化)层深度等计算确定激光相变硬化处理参数,结果表明理论计算值与实验结果相符。