较大直径、低位错锑化铟单晶的研制

本文简要介绍了用ＴＤＫ－３６单晶炉拉制的较大直径（φ＝２５ｍｍ）、低位错（＜１００ｃｍ￣（－２））的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场，特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制，成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。     

我国重介质选煤自动化现状及发展

叙述我国选煤自动化的现状、存在问题及今后的发展,并设想了近期的主攻方向。     

大小样品在液氮中的淬冷沸腾换热比较研究

分析了大小样品在液氮中的淬冷沸腾换热特性。大小样品的淬冷沸腾换热有着明显的差别，小样品的热流密度比大样品的明显高得多。小样品的淬冷沸腾有一起始段，其温降高达６０Ｋ。从实验结果还可以看到，小样品的Ｌｅｉｄｅｎｆｒｏｓｔ点和临界热流点对应的壁面过热度明显比大样品的高。最后还分析了样品直径对临界热流密度的影响。     

真有效解和伪线性多目标规划问题

本文给出了伪线性多目标规划有效解的一个充要条件;证明了在适当的条件下,伪线性多目标规划的有效解全是其真有效解.     

a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.     

GaAs单晶LEC生长技术的最新进展

论述了国外晶体生长学者为了降低ＧａＡｓ单晶位错密度对ＬＥＣ技术所作的重大改进工作；介绍了ＬＥＣ技术的进展状况。     

I．O．T．旧梦成真

该文较详细地介绍了Ｉ．Ｏ．Ｔ管的发展历程，其特点及工作方式。