晶纹镀锡花型的控制与成因初析

用重熔结晶二次电镀的方法获得了不同类型的晶纹。通过赫尔槽试验确定了最佳电流密度城此基础上，对重熔、冷却、浸蚀，二次镀等工艺过程的参数进行了筛选。结果表明，控制晶纹花型的主要因素是重熔和冷却的协同作用。     

添加晶种对硅酸盐水泥生料易烧性影响的研究

采用实验室制备不同种类单矿物，纯熟料及白水泥熟料为晶种，利用ＤＴＡ，ＸＲＤ及测定游离石灰等方法，研究了其对硅酸盐水泥生料易烧性的影响。结果表明；铁相的作用在四种单矿物中最为明显，其它三种主要矿物也均有不同程度地促进煅烧过程的熟料矿物形成的作用。     

纳米晶TiO2的制备及其表面光电性能研究

采用均匀沉淀法制备了锐钛矿型和金红石型TiO2纳米晶.对其进行了透射电镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、场诱导表面光电压谱表征(FISPS).通过实验发现,不同晶型纳米TiO2的FISPS截然不同,这说明二者的表面性质有明显的差异.     

晶体概念新释

提出了晶体的新概念，修改了晶体中原子排列周期性的传统提法。按照晶体结构中原子是否有周期性重复排列将晶体分成了单胞晶和双胞晶两大类。     

Al-Si合金在凝固过程中颗粒和枝晶组织的演变

通过改变和控制浇注温度、冷却速度和半固态保温时间，研究了亚共晶Al-Si合金在不同凝固条件下初生相形貌的演变。结果表明．浇注温度对初生相形貌的影响最大。当浇注温度在液相线附近，冷却速度为0．3℃／s，并在半固态状态下保温1～5min的条件下，初生相为理想的颗粒状组织。随着浇注温度和冷却速度的提高，初生相由颗粒状向枝晶组织演变。此外，添加晶粒细化剂有利于颗粒组织的形成。在试验的基础上，采用改进的Cellular Automaton(MCA)模型进行计算机数值模拟，研究了Al-Si合金在凝固过程中初生相的演变机制。     

直流电沉积CdS纳米线的研究

在磷酸溶液中，采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO)．以AAO为模板，选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线，溶去模板后，获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1．5μm的纳米线，与AAO模板的孔径一致．该方法在制备过程中，无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程，而是直接在纳米孔内电沉积CdS，形成CdS半导体纳米线阵列．该方法工艺简单，操作方便，容易获得半导体CdS的一维纳米材料．TEM和XRD测试结果表明，CdS纳米线为六方晶型结构．对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨．     

反应原料的摩尔比对GaP纳米晶形貌的影响

研究了溶剂热条件下反应原料的摩尔比对GaP纳米晶产率和微观形貌的影响,实验发现:随着GaCl3:Na3P比例的不断增大,GaP纳米晶样品的产率不断提高,而且微观形貌发生了显著变化:从比值较小时的球形微粒变为纤维状和棒状的颗粒.利用Ga与Cl配位形成GaCl-4模型初步分析了GaP纳米线的生成机理.     

双辊薄带连铸不锈钢铸带组织特征研究

采用酸浸实验、常规金相实验和能谱分析实验等方法,研究了304不锈钢快速凝固铸带的低倍组织、夹杂、枝晶形貌和奥氏体晶粒及表面裂纹情况,测量了铸带的凝固速度及奥氏体晶粒度.实验表明:试样没有明显的疏松和偏析,但存在分层现象;铸带中夹杂很少而且很小;铸带的奥氏体晶粒度都约在8级以下;铸带组织中细长柱状晶区的二次枝晶间距为8～11μm,短粗柱状晶区的二次枝晶间距为11～16.8μm.相对应的凝固速度分别为7.1×103K/s和2.4×103K/s;成分的变化可能是产生裂纹的原因之一.     

剪切场下聚合物结晶形态学研究进展

聚合物熔体被引入剪切场后，会发生与静态下不同的结晶现象。微观上可以得到伸直链晶体、片晶及串晶；宏观上除了静态下典型的球晶外，还能观察到球晶的变形和柱晶等。另外，剪切还可以使晶体发生晶型转变。本文对聚合物熔体在剪切场下结晶形态学的研究进展进行了介绍。     

改善GH99合金板材力学性能的研究

GH99合金是时效强化型高温合金，其γ′相的含量决定了力学性能的水平，而合金的Al、Ti含量和板材固溶后的冷却速度是决定γ′相的含量的主要因素。另外，板材晶粒度的大小在一定程度上也会影响其力学性能。本文作者通过对这些原理的研究，摸索出了改善GH99舍金板材力学性能的措施：控制Al=2．0～2．1％、Ti=1．2～1．3％，晶粒度为5～6级；若Al、Ti含量超过这个范围，调整板材的固溶冷却速度和晶粒度可以改善合金的力学性能。