淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

应用比例法设计可锻铸铁冒口尺寸的探讨

对用比例法设计可锻铸铁冒口尺寸的比例值进行了探讨,提出了选择比例值的经验公式和验算冒口的四种简易方法.     

铝管材连续铸挤过程的计算分析

对连续铸挤铝管材的挤压过程及力能参数用上限法进行了计算分析。结合具体实例进行了数值计算。计算结果和试验结果很相符。     

伏安法测定镀铜液中Fe^3＋和Cu^2＋离子的浓度

本文根据Fe~(3+)和Cu~(2+)离子在静止铂电极上的电化学还原特性,提出酸性镀铜液Fe~(3+)和Cu~(2+)离子浓度的快速测定方法。实验结果表明,Fe~(3+)离子阴极还原的电流值不因Cu~(2+)离子存在而受影响,因此可根据IRFe~(3+)～CFe~(3+)的关系测定镀铜液中Fe~(3+)离子的浓度。为避免Fe~(3+)离子对Cu~(2+)离子浓度测定的干扰,采用外加Nacl于待测溶液,则可由Cu~(2+)离子阴极还原的IR·Cu~(2+)～CCu~(2+)关系测定Cu~(2+)离子的浓度.