硅晶体管中加氟可提高中子速度

英国南安普敦大学研究人员发现，在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。     

NREL利用硅纳米结晶确认MEG现象

美国国家可再生能源实验室（NREL）在美国Innovalight公司的协助下，证实“通过硅纳米结晶（量子点，Quantuin Dot）可以高效生成多重激子（Multiple Exciton Generation，MEG）”。MEG可将元，2006年产值应在1．12亿美元，预计到2010年将达到5亿美元。同时，我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小，2006年的产值大约不到500万元人民币!     

美国SiGen开发出新型光电绝缘硅技术

美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响

结果表明，预应变后的合金经回复应变退火后，组织转变分为三个阶段，形状记忆效应主要产生于４７５℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变，４７５℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为５００℃。     

微秒延时真空击穿

本文分析了大电流开断之前，电压延时击穿与时间间隔的函数关系。当时间间隔〉１ｍｓ时，间隙工作状态对应冷电极。对于该过程，在个别开断试验中，研究了延时对种种上参数的依赖关系，我们发现在电压不变时，延时随着间隙距离的增是急剧增大，这就可得出一个结论：场致发射是靠民延时击穿的主要原因，而不是用团块。     

轻质高强硅镁隔墙板研制与开发

本文介绍该隔墙板生产的原料配比，生产工艺及其技术关键、产品物理力学性能及经济效益分析，讨论改善制品返卤、变形，耐水性差等几方面问题的方法。     

Si,N对耐磨冷作模具钢组织与性能的影响

用Si,0.70wt/5和N0.08wt%对新型9Cr6W3Mo2V2钢进行合金化,观测这两种合金元素在耐磨冷 作模具钢中的存在形式,及其对组织结构和力学性能的影响,并与通用的Cr12MoV钢进行了比 较.结果表明,Si,N显著改善钢的微观组织,提高强韧性和耐磨性能.     

硅铬电炉的洗炉和转炼

介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践，对用石灰和铬矿洗炉进行了分析，并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。