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21.
《今日电子》2004,(2):3-3
“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。  相似文献   
22.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.  相似文献   
23.
膜电极结构对质子交换膜燃料电池性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
膜电极(MEA)作为质子交换膜燃料电池(PEMFC)的核心组件之一,其结构和组成对电池的性能有着重要的影响。提高膜电极性能的一个重要的指导思想是在催化粒子的周围形成良好的质子、电子和气体通道。以此为主线,从电极制备工艺的发展历程,Nafion的使用与质子通道的改进、电子通道的改进、阴极催化等几个方面详细地总结和讨论了近年来MEA的研究状况,并在此基础上对MEA的进一步研究提出了若干建议。  相似文献   
24.
采用一步法制备聚硅硫酸铝絮凝剂合成了含锌离子的聚硅硫酸铝并研究了其性能.含锌离子絮凝剂是一种无毒高效的絮凝剂,且絮凝效果优良,锌离子含量对絮凝剂性能影响很大.  相似文献   
25.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。  相似文献   
26.
单片LCoS光学引擎中彩色LED照明系统设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
LCoS光学引擎作为整个背投的一个要组成部分,其照明系统显著地影响着LCoS背投的性能。详细分析了影响照明效果的各个因素,并利用ZEMAX软件设计出了单片LCoS光学引擎中基于彩色LED光源的照明系统,该系统能达到较好的亮度和均匀性,满足整个光机系统的成像要求。  相似文献   
27.
食盐电解用气体扩散电极的研究及进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
食盐电解用气体扩散电极(氧阴极)是低能耗电极,理论上可降低电耗850kW·h/(t·100%NaOH),预计其实际降低幅度可达30%~40%;但这种生产工艺中不生成氢气。这方面的研究中日本的成果最突出,已在120cm×60cm的电极上于1.93V电压条件下连续运行3年。  相似文献   
28.
Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向,SEM观察薄膜断面形貌,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关,随着沉积温度100℃→250℃的改变,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。  相似文献   
29.
砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。  相似文献   
30.
《数字通信》2006,(24):I0001-I0001
两周前,我想给我的手机买个硅胶套。花了两天时间,跑遍了重庆市的IT卖场,竞没有找到一款合适的。一气之下决定在网上购买。从开始找卖家到下单,只花了一个小时,隔了一天,快递就为我们手机送来了新衣服。仔细算了一下,我四处寻找硅胶套那两天,劳累不说,花的车费钱,就比快递费多得多。  相似文献   
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