基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用，重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式，可以简化系统电路设计，降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点，并给出了相关电路的设计方案。     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

美国SiGen开发出新型光电绝缘硅技术

美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

轻质高强硅镁隔墙板研制与开发

本文介绍该隔墙板生产的原料配比，生产工艺及其技术关键、产品物理力学性能及经济效益分析，讨论改善制品返卤、变形，耐水性差等几方面问题的方法。     

Si,N对耐磨冷作模具钢组织与性能的影响

用Si,0.70wt/5和N0.08wt%对新型9Cr6W3Mo2V2钢进行合金化,观测这两种合金元素在耐磨冷 作模具钢中的存在形式,及其对组织结构和力学性能的影响,并与通用的Cr12MoV钢进行了比 较.结果表明,Si,N显著改善钢的微观组织,提高强韧性和耐磨性能.     

硅铬电炉的洗炉和转炼

介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践，对用石灰和铬矿洗炉进行了分析，并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。