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The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
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《稀有金属》2003,27(4):451-451
美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我… 相似文献
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本文介绍该隔墙板生产的原料配比,生产工艺及其技术关键、产品物理力学性能及经济效益分析,讨论改善制品返卤、变形,耐水性差等几方面问题的方法。 相似文献
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用Si,0.70wt/5和N0.08wt%对新型9Cr6W3Mo2V2钢进行合金化,观测这两种合金元素在耐磨冷 作模具钢中的存在形式,及其对组织结构和力学性能的影响,并与通用的Cr12MoV钢进行了比 较.结果表明,Si,N显著改善钢的微观组织,提高强韧性和耐磨性能. 相似文献
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介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践,对用石灰和铬矿洗炉进行了分析,并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。 相似文献