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超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1 093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1 000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。 相似文献
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基于硅通孔(TSV)结构的系统级封装(SiP)模块内部存在多个微焊点层,数量众多的微焊点与模块尺寸差异较大,使得建模时网格划分困难和仿真计算效率低。研究了TSV结构微焊点层的均匀化等效建模方法,以TSV结构内的芯片微焊点层作为研究对象,通过仿真和理论计算其等效导热系数、等效密度和等效比热容等热特性参数,建立SiP模块的详细模型和等效模型进行仿真分析,并基于瞬态双界面测量方法测出SiP模块的结壳热阻值,再对比分析详细模型和等效模型的仿真热阻值和测量偏离值。结果表明:围绕微焊点层结构的均匀化等效建模方法具有较高的仿真准确度,且计算效率显著提高,适用于复杂封装结构模块的热仿真分析。 相似文献
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为获得工艺和电化学性能俱佳的硅负极材料,以丙烯酰胺和硅粉为原料通过简单的合成工艺制备了一种复合物。借助X射线衍射技术、粒径分析和扫描电镜对该材料进行表征,结果表明制备的材料成分为硅、碳复合物,平均粒径为5.07μm,位于商用锂离子电池要求的负极材料粒径范围,具有出色的工艺性能。将该材料匹配高镍三元材料组装成纽扣电池进行电化学测试,它又表现出优异的电化学性能。其初始库仑效率为81.5%,放电比容量高达1 200 mAh/g以上。在1 C(1 200 mA/g)充放电速率下经过50个循环,容量保持率高于99%。鉴于其优良的工艺和电化学性能,该材料可望在高比能动力锂离子电池中广泛应用,推动我国新能源产业的发展。 相似文献
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新疆对于大多数国人来讲依然是一个神秘的地方。新疆长期以来都是商品流通的末端,可以说是货到地头;新疆地区具有明显的本地化特征,参与国内产业分工依然是初步的,"原字号"工业品居多,是典型的原材料基地;新世纪以来,原字号产品发展较快,能源优势逐渐被发掘,高载能产业开始受到关注,硅产业在其中具有较强的代表性。 相似文献
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聚合物层压铝包装(PLAP)材料在高强度软包装应用中占据非常大的优势,但将PLAP回收为其原始金属形式存在一些困难。本研究重点关注不同聚合物层压板对通过热分离技术(TDT)回收的铝表面质量的影响。三种不同类型的柔性PLAP材料已在450℃、500℃、550℃和600℃下在5-30分钟内在惰性和空气气氛中热脱离。聚合物降解过程中释放的气体一直受到持续监测。PLAP材料热脱离后,在加热过程的20分钟内,在550℃下实现了聚合物的完全降解和挥发物从PLAP材料中的解离。本研究主要将复杂的包装材料回收成污染较少的铝而没有任何金属损失的途径。此外,通过对废气和聚合物降解的碳质残渣的进一步处理,也可以分离出高效的燃料气体,主要是H2和游离碳。 相似文献
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