基于高压微通道粉碎技术的全藕汁制备及其稳定性研究

通过利用高压微通道粉碎技术对莲藕进行超微粉碎,采用无硫护色剂对莲藕进行护色,并选用复配稳定剂以提高全藕汁产品的悬浮稳定性,进而制备得到口感好的全藕汁产品。实验结果表明,当无硫护色剂选择0. 6%柠檬酸、0. 6%抗坏血酸和0. 06%半胱氨酸复配时,护色时间为10 min,所得的全藕汁亮度值最高L*值为91. 6。当高压微通道粉碎压力为60 MPa,粉碎次数2次时,所制备的全藕汁平均粒径可达10μm左右。当黄原胶的添加量为0. 12%、CMC-Na为0. 12%和果胶为0. 04%时,全藕汁的稳定系数为0. 874且悬浮稳定性最好。     

20万吨／年第三代环管法聚丙烯工艺包通过集团公司审查

由SEI、北京化工研究院和石家庄炼化分公司共同完成的“20万吨／年中国石化第三代环管聚丙烯工艺包”，于2012年2月22日通过中国石油化工股份有限公司科技开发部组织的技术审查。与会专家一致认为：技术先进、流程合理，达到国际同类工艺技术的先进水平。     

FN及ICT新技术助力国家应急联动通信与智慧城市务实发展

近年来新一代网络与信息技术的变化日新月异，第四代移动通信、物联网、移动互联网、智能手机、智慧城市等成为人们关注的热点，而今年提出的“未来网络”（FN，FutureNetworks）全球标准化建议，初步瞄准2015年～2020年为其启动实施期。结合这些新动向，在此拟就“FN及ICT新技术助力国家应急联动通信与智慧城市务实发展”为主题，谈几点个人看法，供读者参考。     

二代PIP封装UHS-I标准KINGMAX 64GB高速SDXC存储卡性能测试

如今高容量的SDXC存储卡层出不穷，用户在选购的时候也多了一些选择。通常，以卡面的标识来区分SD卡的速度水平和档次，Class2代表入门级，Class4和Class6速度逐步提升，较新的Class10则代表了顶级SD卡。此外，SD卡协会在2011年6月已宣布，推出新的SDXC／SDHC卡性能标识规范，在以往Class2M／6／10的基础上，新增UHS—I和UHSSpeedClass1两款性能标识。     

新型煤化工硫近零排放技术探讨

近年来,我国为了能够对新型煤化工硫实现近零排放,在活性焦燃煤烟气净化和煤气脱硫技术地原理下,提出了一种新型煤化工硫近零排放的技术,希望能够达到将污染物去除的作用,让企业获得更好的经济效益,并达到节能环保的效果。     

第三代头孢抗生素头孢地尼合成工艺进展

头孢地尼为第三代口服头孢类抗生素,临床应用效果好,需求量较大。综述了头孢地尼的合成工艺技术,包括环合法、酰氯法和活性硫酯法。指出活性硫酯法具有反应条件温和、操作简单、原料价廉易得、收率高等特点,为目前工业化合成头孢地尼的常用合成方法。     

双波长共振瑞利散射法快速测定皮蛋中的Cd

建立了快速测定皮蛋中Cd的双波长共振瑞利散射法。在pH 5.72的Tris-盐酸缓冲介质中,Cd(Ⅱ)与固绿FCF-溴代十六烷基吡啶结合生成三元络合物,导致体系的双波长共振瑞利散射(DWO-RRS)光谱显著增强,最大和次大共振瑞利散射峰分别位于367 nm和469 nm波长处,在此二波长处,Cd(Ⅱ)的质量浓度在0.004~0.22 mg/L内与体系的共振瑞利散射(RRS)增强程度△IRRS呈线性关系,检出限(3σ/S)为1.3 ng/m L,定量限为0.012 mg/kg。文中还研究了反应条件和共存物质的影响,反应机理及RRS增强的原因。结果表明,方法有较高的灵敏度和良好的选择性,据此,提出了简便、快速、灵敏、准确测定痕量Cd(Ⅱ)的双波长光散射新方法,用于皮蛋中Cd的测定,回收率为97.8%~102%,相对标准偏差(RSD)(n=5)为2.1%~2.6%。     

从应县木塔秘藏看辽代西京地区雕版印刷业的兴盛原因

应县木塔辽代秘藏的发现,给辽代雕版印刷研究提供了有力的实物证据。归纳辽代西京地区雕版业兴盛的原因,主要有五个方面:一是西京大同曾是北魏国都和辽代行都,文化传统深厚;二是辽代推行尊孔崇儒国策,大力发展文化教育;三是北魏至辽代信奉佛教,佛经刻印盛行;四是西京地区农牧业和手工业发达,经济相对发达;五是西京地区交通便利,人口密集,便于书籍流通。以上因素造就了辽代西京地区发达的雕版印刷业,为金元雕版业走向繁荣打下了坚实基础,也为中华多元文化的融合和发展做出了贡献。     

我国制定首项天然气领域国际标准

<正>2014年9月15日,中国石油西南油气田制定的我国首项天然气领域国际标准《用氧化微库仑法测定总硫含量》,经国际标准化组织天然气技术委员会21个成员国全票通过,正式成为国际标准。天然气总硫含量,指天然气中硫化氢等所有硫化合物的总和。硫化氢是一种无色、易燃、低浓度时有臭鸡蛋味的剧毒气体。含硫天然气必须经过     

第三代TINI电源SoC：电源SoC

Maxim Integrated Products推出用于GalaxySIII供电、配合Exynos4412四核应用处理器的电源SoC芯片组。