高分辨电子显微像的解卷处理程序:DEC

高分辨电子显微像因离焦量和晶体厚度等因素的影响，未必能正确反映晶体结构。为此，李方华等建立并发展了高分辨像的解卷处理技术，将单张高分辨像恢复为结构像，并提高像的分辨率。DEC是为高分辨像解卷处理编写的配套计算机程序，将此程序应用于Si0.75Ge0.24晶体中缺陷的实验高分辨像，     

CCT and TTT Diagrams to Characterize Crystallization Behavior of Mold Fluxes

The isothermal and non-isothermal experiments were performed to construct the continuous cooling transformation （CCT） and temperature time transformation （TTT） diagrams of four industrial mold fluxes through visual observations in an experimental apparatus based on the single hot thermocouple technique （SHTT）. The results of the CCT diagrams indicate that ① the crystallization temperature of mold fluxes lowers as the cooling rate increases, ② the mold fluxes have larger critical cooling rate, higher crystallization temperature, and less onset time of crystallization when the basicity increases or the viscosity decreases, ③ the influences of the melting points of the mold fluxes on their crystallization tendency are not significant. Isothermal tests show that the onset time of crystallization decreases at first, and then increases, and finally represents a ＂C＂ shape with increasing isothermal temperature. The TTT diagrams of four industrial mold fluxes were divided into two separate ＂C＂ shape regions. The crystal phase of C20A selected was analyzed by X-ray diffraction, which is cuspidine （Ca4 Si2 O7F2 ） over I 100 ℃ and calcium silicon oxide fluoride （Ca2SiO2F2） below 1 100℃. When compared with the TTT diagram, the CCT diagram can provide a more realistic estimate of the critical cooling rate of the mold fluxes. Thus, both the CCT and TTT diagrams can unambiguously describe the crystallization phenomena of the mold fluxes.     

斯蒂芬酸/1,4-二氧六环溶剂化物晶体结构的表征与计算

为探索共晶炸药形成机理,采用蒸发溶剂法制备了斯蒂芬酸/1,4-二氧六环溶剂化物。用单晶X射线衍射对其结构进行了表征。结构分析表明1,4-二氧六环上的氧和相邻的两个斯蒂芬酸分子中的羟基各自形成—OH…O强氢键,1,4-二氧六环上的氢和斯蒂芬酸上硝基中的氧形成CH…O—NO弱相互作用,这些作用是形成该溶剂化物的主要驱动力。分别计算了斯蒂芬酸和斯蒂芬酸/1,4-二氧六环溶剂化物晶体的Mulliken电荷和态密度。计算结果表明：形成溶剂化物后,斯蒂芬酸上的硝基电荷变多;p轨道对溶剂化物的形成起到重要的作用;斯蒂芬酸中的氢和1,4-二氧六环中的氧存在杂化。     

采用溶胶—凝胶工艺制备的SiO_2在晶体化过程中相变行为的研究

以正硅酸乙脂试剂、乙醇试剂及蒸馏水为原料,运用溶胶—凝胶工艺制备了无定形纯SiO_2,采用TG-DTA、XRD等方法研究了SiO_2在加热晶体化过程中的相变特性。     

MgO∶LiNbO_3晶体中超短中红外非共线相位匹配光参量放大过程角度的优化选择

计算了MgO∶LiNbO3中超短中红外光参量放大(OPA)过程中晶体的相位匹配角与非共线角的优化选择。结果表明,对于800nm波长的抽运光,信号光波长为1053nm时,非共线角α优化在1.74°~2°之间;当信号光波长在1046~1067nm内变化时,α在1.05°~2.18°之间,并且当信号光波长为1057nm,α=1.76°时,可实现三波间群速度的完全匹配。同时还得到了抽运光中心波长在780~810nm之间变化时,实现完全群速度匹配时的注入信号光波长与对应的中红外光以及相应的非共线角与相位匹配角。     

硫酸钙晶须表面改性及其性能研究

在不同条件丁使用不同改性剂进行硫酸钙晶须表面改性,探究硫酸钙晶须表面踟陆微观机理,综合实验数据,提出硫酸钙晶须改性较为理想的方案。结果表明：表面活性剂硬脂酸可以作为硫酸钙晶须的改性剂;初始硫酸钙晶须料浆浓度、改性剂掺量、改性时间、改性温度、烘干温度明显影响硬脂酸对硫酸钙晶须表面改性的效果。采用活性指数、接触角、钙离子溶解度和微观照片评定改性效果,建立硬脂酸对硫酸钙晶须表面改性的机理。     

WO3–CaSO4在HCl–Na2SO4溶液中的平衡溶解

目前钨冶炼的碱分解工艺,存在用水量大、废水量大、加工成本高等问题,使钨冶炼企业面临着经济与环保的双重压力,不能继续满足行业发展需求。对此,在大量白钨焙烧分解工艺研究的基础上,提出了酸法焙烧思路,开发出了硫酸盐焙烧分解白钨工艺,一步转型生成WO₃。由于白钨矿焙烧产物的主要杂质为Na₂SO₄与难溶CaSO₄,可采用盐酸浸出方式进行钨钙分离,本文采用等温平衡法,考察对比了WO₃、CaSO₄与WO₃–CaSO₄在HCl–Na₂SO₄溶液中的溶解行为,结果表明:WO₃与CaSO₄在盐酸中的溶解度相差较大,CaSO₄在盐酸中溶解度随温度、盐酸浓度的升高而增大,在温度80 ℃、盐酸浓度3 mol·L–1的条件下,硫酸钙在盐酸中的溶解度达到峰值55 g·L–1,而Na₂SO₄可显著降低CaSO₄在盐酸中的溶解度,缩小CaSO₄与WO₃在盐酸中的溶解差,WO₃溶解度则维持在0.3～3 g·L–1范围内,结合目前成熟的低钨回收工艺,能将该部分溶解钨有效地回收,即控制一定的溶解条件有利于钨钙高效分离。      

光折变晶体两波耦合增益系数强度特性理论研究

对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ,总的有效陷阱密度N_eff和强度特性因子η(I)的强度特性进行了理论研究。结果显示在两中心模型的光折变晶体中,Γ,N_eff和η(I)有着复杂的特性。当S_Dγ_T/S_Tγ_D小时,对于A类和B类两中心晶体,N_eff随强度的增加而增加最终趋于饱和,当S_Dγ_T/S_Tγ_D大时,对于A类晶体N_eff增加到一个最大值后稍有减少,而对于B类晶体,N_eff增加到最大值后然而有较大的减少。不同类型晶体增益系数Γ有着不同的强度特性是由于晶体中有着不同的能级结构。     

TiO2-In-Nb2O5敏感材料响应TMA气敏特性分析

以含In的TiO2为基质,与重量比为10%的Nb2O5混合,TiO2-In-Nb2O5混合敏感材料有效解决了三甲胺(TMA)动物食品测鲜气敏器件中提高电导率和保持高灵敏度之间的矛盾.并利用XRD、SEM对该混晶体的结构、形貌及其机理进行分析,发现:该富钛混晶体中颗粒间的空隙增大、颗粒颈部变细,有效提高了响应TMA敏感特性;混合过程中所形成含铌的氧化态混晶体是缺氧态的,氧空位的增多有助于敏感材料电导率的增加.