川西新场气田JS_2~1气藏测井多参数评价方法

针对川西新场气田JS12气藏开展了多参数的综合评价研究,多参数包括储层参数、裂缝参数、储层分类厚度参数。首先,开展了储层参数及裂缝参数的计算,以岩心分析结果为依据,建立了孔隙度、渗透率、含水饱和度计算模型。利用铸体薄片进行了微裂缝识别,对样品的裂缝参数和测井曲线进行相关分析,建立了测井计算裂缝参数的数学模型;其次,对储层进行聚类分析,通过聚类将储层分为三类;最后,将计算的裂缝参数、储层分类中的Ⅰ类储层厚度、孔渗饱等参数进行正态化处理,拟和测试的无阻流量与这些参数建立多元回归计算模型,即综合含气指标的数学计算模型。以综合含气指标为主要依据,进行储层综合分类和评价,指出了有利的含气区域和可供挖潜井的建议。该方法在指导气藏开发中获得了良好效果。     

Scope现场钻井服务系统

美国Schlumberger公司已研制成功新一代Scope现场钻井服务系统。该系统由EcoScope多功能钻井-测井装置、StethoScope装置和TeleScope高速遥测装置3部分组成。其EcoScope多功能钻井-测井装置可将钻井和地层评价探测器组装在一个坚固的凸缘上，以便传输关键的钻井测量数据及独特的基本光谱。该装置将钻井和地层评价探测器集成在一个凸缘上，安装在俘获脉冲发生器（PNG）的周围，可提高效率和安全性。     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。     

多臂井径成像测井技术

多臂井径成像测井技术同以往的40臂、X—Y井径等非成像工程测井相比具有较为明显的优势，不但可以做定量解释提供最大、最小、平均井径值，而且可以提供更为直观的18条或36务独立的测井曲线、磁井径，磁重量、井温、井壁立体图、井壁成像图、井壁截面图，为检测井下套管的完好性及修复提供了更为可靠直观的资料，满足了地质学家及时监测套管状况的要求，也为油井作业、大修提供全面、准确的套管全貌。文章介绍了18臂、36臂两种井径成像测井技术。并通过对测试资料实例的解释、分析、研究，总结了多臂井径成像测井技术的特点及应用效果。     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。     

鄂尔多斯盆地东部奥陶系盐下储层预测

鄂尔多斯盆地奥陶系的膏盐岩沉积面积达5×104km2,天然气的勘探程度很低。为此,利用测井技术和地震反演技术对盐下储层进行了预测。首先,通过对盐下沉积特征的综合分析,对盐下储集层段的发育层位和主要储集岩类型进行了描述;然后,采用ELAN测井技术对盐下储层的物性进行了分析,认为盐下储层的物性在普遍较差的背景上存在相对发育的层段和区带;最后,利用全局优化多道地震反演技术,对岩下储层进行了预测,认为盐下存在的局部隆起是圈闭和储层发育的有利区带。     

测井综合应用平台LEAD2．0正式发布

2006年8月4日，由中国石油集团测井有限公司联合国内多家单位共同开发的具有自主知识产权的测井资料处理解释集成软件“测井综合应用平台LEAD2．0”正式发布。该软件是中国石油天然气集团公司重点科技开发项目。来自中石油集团公司、巾石油股份公司、测井相关单位、石油院校等30多个单位、部门的80余名领导、专家、教授和技术人员参加了会议。LEAD2．0是基于Windows操作系统的测井资料一体化处理解释软件，具有网络化的数据管理、开放式底层平台、集成化的应用模块、可视化的处理流程，具备常规测井、成像测井、生产测井以及特殊测井等资料处理分析评价能力，可满足现场快速直接解释、测井精细解释及储层综合评价等不同层次用户需求。     

深井光学成像测井系统

以视频图像作为可视化测井技术，通过对高温、高压、密封防护和视频信号无中继远距离传输等技术难题的解决。成功开发了深井井底摄像测井系统，生动地显示了井底状况．本文分析了系统实现的关键技术和解决方案．现场试验获得了井底状况，图像清晰．该系统性能稳定，在温度110℃，25MPa压力下正常工作长达5h，总体性能指标达到了设计要求．     

磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究

微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.本文根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.