2G/3G系统互操作策略探析

2G/3G的系统间的互操作是现有GSM运营商建设3G网络面临的核心问题之一,文章详细论述了2G用户迁移和2G/3G切换漫游的策略,并分析了不同策略的优劣。     

基于ARM的浮点数转换成整数的改进算法

研究了基于IEEE754标准的浮点数的存储格式，提出了一种基于ARM7的改进的浮点数转换成整型数的算法。分析了C／C＋＋中的强制类型转换和改进浮点数转换成整数的算法，比较了两种算法的优缺点。并把改进算法移植到嵌入式平台ARM上。     

刻蚀电子线路板废液制取混凝剂研究

电子工业刻蚀电子线路板广泛使用氯化铁溶液 ,其排出液中含有大量铜、镍离子 ,采用铁粉还原的方法能有效地去除镍离子 ,处理后的溶液符合饮用水混凝剂要求 ,可作为水处理混凝剂使用 ,为该类废液提供了综合利用的方法。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

电脉冲作用下粉体成形的研究

介绍了电脉冲对粉体成形的原理.从电迁移和电脉冲作用下的非平衡相变讨论了粉体成形的机理,为块状纳米材料的制备提供一个新思路.     

多处理器系统中的数据局部性及其优化技术研究

数据局部性是多处理器系统中的重要研究方向之一。结合该领域目前国内外研究现状和我们近一阶段的研究进展，讨论了多处理器系统中的数据局部性及其优化问题。针对现有局部性度量模型存在的不足，提出了一种增强的可用于层次式并行计算机体系结构的局部性度量模型。在静态和动态局部性优化技术方面，分别探讨了基于投影分层的数据变换框架和基于瞬时访问信息的动态页迁移策略，并展开了系列相关的讨论。另外，针对利用数据局部性时必须解决的一个关键问题--存储一致性问题，进行了深入的研究，提出了以操作系统为中心的线程存储一致性模型。     

一种改进的基于OOC的MWOOC

从理论上分析了一种基于光正交码（OOC）的多波长光正交码（MWOOC）的性能。给出了一种改进的基于OOC的MWOOC，并且蛤体分析了它的性能。与原MWOOC比较，改进的MWOOC的误码率性能基本相同，但码字数增加很多。