改性纳米TiO2光催化降解苯酚活性的研究

在装有紫外光的光催化反应器中，用锐钛型纳米TiO2为光催化剂，进行了苯酚水溶液的光催化降解性能的研究。考察了溶液的pH值、纳米TiO2用量、镍（Ni^2＋）掺杂量、苯酚的初始质量浓度等因素对苯酚水溶液光催化降解过程的影响。结果表明，在pH值为7时，苯酚水溶液的降解率达95％以上，强酸和强碱条件均不利于苯酚的降解。当TiO2用量为50mg，UV辐照40min时，200mL质量浓度为50mg／L的苯酚水溶液的降解率为96．3％；当TiO2用量为150mg，UV辐照60min时，200mL质量浓度100mg／L的苯酚水溶液的降解率为95．8％。镍掺杂增加了TiO2的光催化活性，用质量分数为10％的二氯化镍水溶液掺杂制备的复合光催化剂，苯酚水溶液的降解率比未掺杂时增加13．6％。     

南京南炼催化剂有限责任公司

本公司隶属中国石化股份有限公司金陵分公司，自1971年投产我国第一套5A脱蜡分子筛1000吨/年装置，又先后投产了50吨/年催化剂装置、600吨/年分子筛成球装置、150吨/年催化裂化助剂装置和200吨/年5A小球装置。     

蒸发式冷凝器管外水膜分布

对国内外蒸发式冷凝器研究进展进行了综述,并主要从管外水膜的影响方面就性能改进提出了分析,进行了可视化研究。研究结果表明,扭曲管和管外亲水处理都能获得较好的水膜分布,而且还可以达到减小水膜热阻和提高蒸发式冷凝器传热性能的目的。     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。     

分子筛绿色化合成技术的开发

对现有分子筛合成废液中氨氮及还原性物质的来源进行分析，确定降低排放废水中氨氮浓度及COD的方案。对现有ZRP-5分子筛制备流程进行优化，增加母液及赶胺水回用工序；建立母液浓缩装置，将钛硅分子筛及Β分子筛的合成母液及重排母液应用于ZSM-5分子筛的合成，实现废液的梯级利用。上述措施既解决了因分子筛生产废液的排放造成的环境污染，亦因废物资源化降低了ZSM-5分子筛的生产成本。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

膜电极结构对质子交换膜燃料电池性能的影响

膜电极(MEA)作为质子交换膜燃料电池(PEMFC)的核心组件之一，其结构和组成对电池的性能有着重要的影响。提高膜电极性能的一个重要的指导思想是在催化粒子的周围形成良好的质子、电子和气体通道。以此为主线，从电极制备工艺的发展历程，Nafion的使用与质子通道的改进、电子通道的改进、阴极催化等几个方面详细地总结和讨论了近年来MEA的研究状况，并在此基础上对MEA的进一步研究提出了若干建议。     

垂直铺膜防渗技术在大堤防渗加固工程中的应用

在高水河大堤防渗加固工程中,根据堤身的实际情况,结合地质和施工条件,采用压力灌浆及砼地下连续墙相结合的方法来进行垂直铺膜防渗加固。通过对垂直铺膜前后测压管水头对比研究,分析了大堤外观干、湿土变化和大堤内干土质量密度、密实度的变化,说明了垂直铺膜防渗技术在大堤防渗应用造价低,防渗效果显著,有利于改善大堤的稳定性和安全性。垂直铺膜防渗技术应用于临时防渗及平原低水头水库和河道堤防等工程,实用性强,具有推广价值。     

数字家电元器件

ZSP410/ZSP520/ZSP560：缓存DSP核；TrueStore RC7200：90纳米读取通道；CX23885：PCI Express广播解码器；BTG215：移动TV解决方案BTG215。[编者按]     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。