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141.
陈军  尤政 《激光技术》1998,22(5):290-294
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.  相似文献   
142.
纳米电子技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。  相似文献   
143.
TiN纳米晶材料烧结规律研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
144.
聚合笺基纳米复合材料   总被引:15,自引:0,他引:15  
最近,聚合物基纳复合材料的基础理论研究和应用研究正在积极开展。形成聚合物基纳米复合的技术,潜藏着众多的可能必一,大概会成为制造高性能或高功能复合材料(包括聚合物合金)的有力手段。/  相似文献   
145.
电沉积Co—Ni合金的原子探针场离子显微分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
用位置敏感原子探针场离子的显微镜(PoSAP)、TEM、SEM等方法研究了电沉积工艺参数对Co-Ni合金微观结构的影响,结果表明,低频脉冲直流电沉积的Co-Ni合金的平均晶粒尺寸为70nm,恒稳直流电沉积的晶粒尺寸为100nm。Co原子在沉积层中呈均匀分布,且Co含量随电解中Co离子浓度增加而显著增加。当电解液中CoSO4含量为17.5g/L时,沉积层由εCo和αCo两相组成,PoSAP数据的三维  相似文献   
146.
牛枫 《材料导报》1996,(A00):126-129
采用复合靶及离子微波控制共溅射方法制备了银(Ag)硅(Si)复合物薄膜。透射电观察表明,银晶体小颗粒(1-3nm)镶嵌于非晶基体中。近紫外、可见光及近红外吸收光谱分析表明,当银含量低于50at%时,薄膜显示典型非晶半导体光谱特征;当银含量高于50at%时,在近紫外及可见波段显示两个吸收峰,讨论了其可能的吸收机制  相似文献   
147.
阎永志 《压电与声光》1996,18(4):279-285
纳米科学技术将成为21世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子,制造量子功能器件,从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和STM原子操纵技术的研究现状,介绍原子层蚀刻,单层抗蚀剂自形成蚀刻,纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态,展望纳米技术的发展前景。  相似文献   
148.
聚合物/蒙脱土(MMT)纳米复合材料可大幅度提高聚合物的耐热性、气体阻隔性及阻燃性等。然而,由于纳米MMT与非极性的聚丙烯(PP)相容性很差,多种复合手段难以奏效。  相似文献   
149.
李兵红 《炭黑译丛》2007,(1):3-8,M0002
1引言 纳米粒子近乎分子的尺寸和它们独特的表面活性为工程技术的革新和消费应用的发展提供了潜在基础。随着纳米粒子合成技术的发展,纳米粒子的实际应用变得越来越重要。  相似文献   
150.
Dupont公司计划2007年推出可以在关键的、希望得到的性能方面产生显著改进的系列新型热塑性纳米复合材料。由于在聚合物中适当分散,少量自然存在的原料形成纳米尺寸的增强结构,这种增强结构不仅改进了机械陛能、高温性能和阻隔性能,而且还改进了工艺特征。  相似文献   
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