Ag—Nd2O3复合介质薄膜的光吸收特性研究

在真空中用蒸发沉积的方法制备了埋藏有金属Ag纳米微粒的稀土氧化物复合介质薄膜Ag-Nd2O3。通过对这种薄膜的透射电子显微镜观察和光吸收实验研究，发现在相同Nd2O3的薄膜上沉积数量和大小不同的Ag纳米粒子，Ag-Nd2O3复合介质薄膜的光吸收特性随Ag粒子尺寸和体积分数的增大，吸收峰向长波方向转移。而且在光波长310～1200nm区域内，吸收比随Ag粒子尺寸和体积分数的增加而增加，分析表明Nd2O3与Ag粒子之间的相互作用是影响吸收峰位置和吸收比大小的主要原因，Ag粒子的体积分数是导致吸收峰移动的主要因素。     

聚合物基纳米复合材料的合成、性能及应用前景

介绍了聚合物/无机纳米复合材料、聚合物/聚合物纳米复合材料的制备方法、性质、发展方向以及应用前景。对聚合物基纳米复合材料今后的发展提出了一些自己的见解。     

TiO2纳米微粒的溶胶—凝胶法制备及XRD分析

本文采用溶胶-凝胶法制备二氧化钛纳米微粒。用XRD分析了二氧化钛胶体经不同温度热处理后的晶粒粒径。分析表明温度在437K时TiO2微粒呈锐钛矿结构，粒径约为5.5nm。在673K以上TiO2粒径迅速增大，微粒出现锐钛相与金红石相混昌结构。973K时TiO2微粒完全转化为金红石相。用晶界结构弛豫的观点解释粒径随热处理温度变化关系。     

化学沉积法制备的Ni(P)、Ni(B)纳米薄膜的结构与磁性

用化学沉积法制备了系列Ni(P),Ni(B)合金薄膜样品，用X射线衍射结构分析方法证明样品由尺寸为纳米量级的颗粒组成，样品在磁性上表现出超顺磁性，对热磁处理前后的磁学参数进行了比较研究。     

纳米聚N-异丙基丙烯酰胺微凝胶的光引发聚合

选择具有温敏性的高分子单体N－异丙基丙烯酰胺（N－isopropylacrylamide，NIPAM）为主单体，N，N′－亚甲基双丙烯酰胺（methylenebisacrylamide，MBA）为交联剂，运用光引发无皂乳液聚合的方法合成出粒径小于100nm的高分子微凝胶，并研究了在改变体系组成和条件时微凝胶粒径的变化。结果显示，在乳化剂临界胶束浓度以下，随着乳化剂浓度的提高，微凝胶粒子的粒径不断关小且趋向稳定；相比于热引发，产生的微凝胶具有较高的单分散性而且粒径较小。     

纳米技术与找矿(一)

纳米技术是20世纪80年代付诸于现实的新兴技术,也是21世纪最重要的科技前沿之一。钱学森院士曾预言,纳米技术将会在21世纪引发一场新的产业革命。但实际上,纳米物质并不神秘,正如“科学美国人”1996年12月刊登的理查德S的文章中所指出的,自然作用和人类都在不断地制造纳米物质,只不过人们长期对其“熟视无睹”而已。当原始人类发现火的时候,他们就已创造了纳米相烟粒。铂和钯的纳米颗粒早就被用作催化剂。纳米技术的研究与应用势在必行！本文将就纳米的有关概念、纳米材料的主要特性、纳米技术的发展历史、纳米技术的应用领域、纳米技术在铀矿地质和找矿方法技术方面的应用以及纳米技术应用展望,分3次进行比较全面而又扼要的介绍,目的是使铀矿地质界对这一21世纪崭新的科技前沿,也能予以认真的关注和足够的重视,并能在科研工作中占有一席之地。     

纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

聚合笺基纳米复合材料

最近，聚合物基纳复合材料的基础理论研究和应用研究正在积极开展。形成聚合物基纳米复合的技术，潜藏着众多的可能必一，大概会成为制造高性能或高功能复合材料（包括聚合物合金）的有力手段。／     

电沉积Co—Ni合金的原子探针场离子显微分析

用位置敏感原子探针场离子的显微镜（ＰｏＳＡＰ）、ＴＥＭ、ＳＥＭ等方法研究了电沉积工艺参数对Ｃｏ－Ｎｉ合金微观结构的影响，结果表明，低频脉冲直流电沉积的Ｃｏ－Ｎｉ合金的平均晶粒尺寸为７０ｎｍ，恒稳直流电沉积的晶粒尺寸为１００ｎｍ。Ｃｏ原子在沉积层中呈均匀分布，且Ｃｏ含量随电解中Ｃｏ离子浓度增加而显著增加。当电解液中ＣｏＳＯ４含量为１７．５ｇ／Ｌ时，沉积层由εＣｏ和αＣｏ两相组成，ＰｏＳＡＰ数据的三维