聚氯乙烯皮数杆

当制作皮数杆一时找不到合适材料时 ,可用 １６～ ２５白色聚氯乙烯电线套管代替。在母杆上排好灰缝等尺寸 ,用细钢锯条对准尺寸线 ,将管壁锯破即可 ,另割取３～５ｃｍ同直径细管一根 ,居中锯开 ,取半片作移动靠山 ,置于子杆上来回移动 ,对照母杆刻痕 ,在子杆上锯出痕迹 ,依次复制出多根子杆。聚氯乙烯电线套管管径细 ,易弯 ,穿入取出构造柱钢筋笼时十分方便 ,浸上雨水 ,刻痕依然清晰。需要移动时 ,在土层或砖缝中打入短筋 ,或在刚砌几皮的灰缝中水平插入铁丝 ,甚至干砖摆堆 ,临时夹用。由于杆子轻 ,铁丝绑入刻槽又不易下滑 ,深受班组工人…     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

梳针刺辊与锯齿刺辊分梳差异的研究

为研究刺辊类型、速度对纤维损伤和去除结杂的影响,用Uster AFIS单纤维测试系统,分别对三种梳针刺辊和一种锯齿刺辊在二档道夫速度和四档刺辊速度条件下所加工的生条进行了检测.结果显示:梳针刺辊在减少纤维损伤方面明显优于锯齿刺辊;梳棉机产量低时,梳针剌辊去除棉结的效果好一些,梳棉机产量高时,锯齿刺辊去除棉结的效果要好于梳针剌辊;梳棉机产量低时,大都以锯齿和梳针Ⅲ刺辊去除杂质效果好些,梳棉机产量高时,锯齿和梳针Ⅱ刺辊去除杂质效果好些.     

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。     

带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器

提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率；同时可以使出光端面成倍增加，减少了端面光密度，克服端面灾变性毁坏（COD）。由于耦合形成大光腔，提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W，阈值电流172mA，斜率效率3.24w/a，阈值电流密度273A/cm^2。     

防止PVC发泡体成型分解物粘附压花辊的措施

本文介绍由于在含有机发泡剂的PVC树脂组成物中添加沸点150℃以上的亲水性溶剂和有环氧基的化合物，可有效防止压花PVC发泡体成型分解物粘附压花辊。