结温对LED的影响及温控技术的研究

不断地提高LED的输入功率与发光效率是实现通用照明的必由之路。大量实践表明,LED不能加大输入功率的基本原因,是由于LED在工作过程中会放出大量的热,使管芯结温迅速上升,输入功率越高,发热效应越大。温度的升高将导致器件性能的变化与衰减,甚至失效。文章就功率器件中的升温效应对性能的影响及如何减小这种升温效应的途径作一些简明的讨论。     

Characteristics of Polyaniline/Si Heterojunction Solar Cell By Electrochemical Dye Sensitization

Using the electrochemical polymerization dye sensitization （ECDS） method, polyaniline （PAn）, which is used as top region material in solar cells, is sensitized with direct blue dye（DS）, and sensitized Al grid/DS-PAn/n-Si/Al heterojunction solar cells is prepared by ECDS. Influences of the ECDS on the absorption spectrum and the junction characteristics of the solar cell were discussed, and the output characteristics were measured. The results show that the absorption spectrum of the sensitized PAn films is much wider and stronger in Vis-range; the diode quality factor is about 6.3 and the height of latent barrier potential of p-n junction is 0.89 eV; the short-circuit current and the conversion efficiency of sensitized DS- PAn/Si heterojunction solar cells are greatly improved, which the short-circuit current can increase 6 times, the fill factor is 57% and the efficiency can reach 1.42 % under the illumination of 37.2 W/m^2 , respectively.     

横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望

横向超结双扩散MOS (SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一.分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系.最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望.     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真

主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真。结果表明,热电子发射效应和隧穿效应对异质结界面载流子的输运有很大影响。仿真结果与实验结果基本一致。     

蜂箱内多点温度检测系统

介绍了基于AT89C52单片机的蜂箱内多点温度检测系统软、硬件结构设计。详细介绍了PN结温度传感器的工作原理以及在温度采集系统中的应用;AD0809在A/D转换中的应用;最后给出了软件设计的主流程图。该系统对蜂箱内温度变化规律的研究具有重要的现实意义。     

RPR和MPLS在MSTP中的应用和发展

目前,基于SDH的MSTP(多业务传送平台)在国内已成为城域汇聚层和接入层的主流技术。为了进一步增强其数据处理能力、更好地和数据网络结合在一起,越来越多的厂家开始把RPR技术和MPLS功能内嵌入MSTP。本文将在简单介绍了基于SDH的MSTP城域传输技术后,着重分析RPR和MPLS在MSTP中的应用及发展情况。     

超结硅锗功率二极管电学特性的研究

超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。     

大功率器件IGBT散热分析

在实际应用过程中,大功率器件IGBT可能因其产生大量的热量而损坏。所以,我们要进行散热计算,计算出最大的散热器到环境温度的热阻,设计成适用的散热器,把热量传导到外部环境,确保大功率器件安全可靠的工作。     

BTI与烽火网络结盟

目前,BTI光系统公司宣布与武汉烽火网络有限公司签订一项开发与供应协议,协议涵盖共同研究与自主开发。BTI在中国设立了一个新的分支机构,以确保与烽火网络密切合作,为亚洲客户与伙伴提供支持服务。