矩形光脉冲光电响应后沿拖曳性状研究

本文对矩形光脉冲光电响应后沿拖曳的形成机制进行了详尽的实验研究和理论分析，认为形成该光电响应时滞后曳的主要根源在于光生电子与空穴的多声子慢态复合．我们给出了削减后沿拖曳、提高光电响应速度的有效措施，从而促进解决宽带光通讯的速度瓶颈问题．     

自对准GaInP/GaAs HBT器件

利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.     

结雅水利枢纽对结雅河及黑龙江中游水文情势的影响

结雅水利枢纽位于黑龙江中游左侧汇入的最大支流结雅河上游，有巨大的调洪能力，除减轻结雅河和黑龙江中游和洪水灾害外，也改变了黑龙江中游的水文情势，有利于水资源综合利用。     

GT35钢结硬质合金在模具上的应用

<正> 变压器是电力机车的重要部件,变压器铁芯片是一种批量大、质量要求高的产品。 产品工艺分析 图1所示硅钢片,厚0.5mm。该产品在剪板机上剪成长方料后冲孔,毛刺高度要求控     

毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

皮革去污上光用乳化蜡的研制

采用石蜡、微晶蜡为主要原料 ,经实验选出了以水为稀释剂的乳化型皮革去污上光蜡。实验优化的配方为石蜡 12 .5 g ,微晶蜡 8.0 g ,硬脂酸 8.5g ,三乙醇胺 5 .5 g ,水量 70 (涂用 )或 130 g(喷用 )。反应条件为乳化时间 4 0min ,搅拌速度 5 0 0～ 70 0r/min ,乳化温度 90℃。制得上光剂产品的去污性能可与用去污剂单独处理的效果相当 ,亮度可达 6 6 .7。     

蜡加氢装置浮头式换热器螺栓断裂原因分析

大庆某炼油厂蜡加氢装置在2000年7月检修过程中,发现该装置浮头式换热器（位号E-9004）浮头螺栓（件号13）断裂7根,受炼油厂委托,对螺栓断裂原因进行了分析。     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.